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型号列表

20,447 条型号记录
每页 20 条

MASW-000105-TR3000

MACOM · 封装:PQFN-20

该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 8.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作频率 0.5~2 GHz、开关数 Single、开关配置 SP6T、插入损耗 0.5 dB,采用 PQFN-20 封装。

MASWSS0103TR-3000

MACOM · 封装:PQFN-20

该型号为集成电路,主要参数包括工作频率 5~1000 MHz、技术 GaAs、开关数 Single、开关配置 SPDT、插入损耗 1 dB、关断隔离度(典型值) 63 dB,采用 PQFN-20 封装。

MASWSS0067TR-3000

MACOM · 封装:FQFP-N-12

该型号为集成电路,主要参数包括工作频率 5~1000 MHz、技术 GaAs、开关数 Single、开关配置 SPST、插入损耗 0.65 dB、关断隔离度(典型值) 53 dB,采用 FQFP-N-12 封装。

MASWSS0068TR-3000

MACOM · 封装:FQFP-N-20

该型号为集成电路,主要参数包括工作频率 5~1000 MHz、技术 GaAs、开关数 Single、开关配置 SPDT、插入损耗 1 dB、关断隔离度(典型值) 48 dB,采用 FQFP-N-20 封装。

MASWSS0162TR-3000

MACOM · 封装:SOIC-8

该型号为集成电路,主要参数包括工作频率 2.5 GHz、技术 GaAs、开关数 Single、开关配置 SPST、插入损耗 1.1 dB、关断隔离度(典型值) 40 dB,采用 SOIC-8 封装。

MASWSS0068TR

MACOM · 封装:FQFP-N-20

该型号为集成电路,主要参数包括工作频率 5~1000 MHz、技术 GaAs、开关数 Single、开关配置 SPDT、插入损耗 0.65 dB、关断隔离度(典型值) 50 dB,采用 FQFP-N-20 封装。

BGSA142M2N12E6327XTSA1

Infineon Technologies

该型号为集成电路,主要参数包括型号别名 142M2N12 BGSA E6327 SP001666150。

RFSW8001SR

Qorvo · 封装:DFN-8

该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 4.8 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作频率 100~4000 MHz、技术 硅、开关数 Single、开关配置 SP3T,采用 DFN-8 封装。

BGSX33MU16E6327XTSA1

Infineon Technologies

该型号为集成电路,主要参数包括型号别名 33MU16 BGSX E6327 SP004363688。

TGS2352-2

Qorvo

该型号为集成电路,主要参数包括型号别名 1099927。

MASW-011021-14010G

MACOM

该型号为集成电路,主要参数包括工作频率 8~12 GHz、开关配置 SPDT、插入损耗 0.85 dB、最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 65 C。

QPC6742TR7

Qorvo · 封装:QFN-12

该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作频率 5~2000 MHz、技术 硅、开关数 Quad、开关配置 SP4T,采用 QFN-12 封装。

BGSX24MU16E6327XUSA1

Infineon Technologies

该型号为集成电路,主要参数包括型号别名 24MU16 BGSX E6327 SP004080430。

BGS12P2L6E6327XTSA1

Infineon Technologies

该型号为集成电路,主要参数包括型号别名 12P2L6 BGS E6327 SP002203562。

BGSA133GN10E6327XTSA1

Infineon Technologies

该型号为集成电路,主要参数包括湿敏性 是、型号别名 133GN10 BGSA E6327 SP001415520。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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