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Infineon Technologies · 封装:TSNP-14
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作频率 0.1~2.7 GHz、开关数 Single、开关配置 SP6T、插入损耗 0.45 dB,采用 TSNP-14 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Infineon Technologies · 封装:TSNP-14
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作频率 0.1~2.7 GHz、开关数 Single、开关配置 SP6T、插入损耗 0.45 dB,采用 TSNP-14 封装。CEL
该型号为集成电路,主要参数包括单件重量 0.000102 oz。Infineon Technologies · 封装:TSNP-20
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作频率 0.1~2.7 GHz、开关数 Single、开关配置 SP10T、插入损耗 0.6 dB,采用 TSNP-20 封装。CEL
该型号为集成电路,主要参数包括单件重量 0.000098 oz。Qorvo · 封装:VQFN-12
该型号为集成电路,主要参数包括工作频率 1~6 GHz、开关数 Dual、开关配置 DPDT、插入损耗 0.95 dB、关断隔离度(典型值) 33 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 VQFN-12 封装。Skyworks Solutions, Inc. · 封装:QFN-12
该型号为集成电路,主要参数包括工作频率 100 MHz to 6 GHz、开关数 Dual、开关配置 DPDT、插入损耗 1.15 dB、关断隔离度(典型值) 15 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 QFN-12 封装。Analog Devices · 封装:LGA-24
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) - 3.15 V, 3.45 V、电源电压(最小值) - 3.45 V, 3.15 V、工作频率 100 MHz to 30 GHz、技术 硅、开关数 Single、开关配置 SP4T,采用 LGA-24 封装。CEL
该型号为集成电路,主要参数包括单件重量 0.000245 oz。NJR · 封装:QFN-14
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5 v、电源电压(最小值) 2.375 V、工作频率 2.7 GHz、开关数 Single、开关配置 SPDT、插入损耗 0.223 dB,采用 QFN-14 封装。NJR
该型号为集成电路。CEL · 封装:TSON-6
该型号为集成电路,主要参数包括工作频率 0.05~6 GHz、技术 GaAs、开关数 Single、开关配置 SPDT、插入损耗 0.55 dB、关断隔离度(典型值) 34 dB,采用 TSON-6 封装。CEL
该型号为集成电路,主要参数包括单件重量 0.000102 oz。Analog Devices / Hittite · 封装:Die
该型号为集成电路,主要参数包括工作频率 55~86 GHz、技术 GaAs、开关数 Dual、开关配置 SPDT、插入损耗 2 dB、关断隔离度(典型值) 30 dB,采用 Die 封装。CEL
该型号为集成电路。Infineon Technologies · 封装:TSNP-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.85~4.7 V、电源电压(最大值) 4.7 V、电源电压(最小值) 2.85 V、开关配置 SP5T、最大工作温度 + 85 C、产品 RF Switches,采用 TSNP-16 封装。CEL
该型号为集成电路。Analog Devices / Hittite · 封装:MSOP-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作频率 DC to 6 GHz、技术 GaAs、开关数 Dual、开关配置 SPDT、插入损耗 0.5 dB、关断隔离度(典型值) 27 dB,采用 MSOP-8 封装。IDT
该型号为集成电路。Qorvo · 封装:LGA-9
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.8 V、电源电压(最小值) 2.4 V、工作频率 5 MHz to 6 GHz、开关数 Single、开关配置 SPDT、插入损耗 0.46 dB,采用 LGA-9 封装。Qorvo · 封装:QFN-24
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作频率 5 MHz to 6 GHz、技术 硅、开关数 Triple、开关配置 SP3T,采用 QFN-24 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。