HMC536LP2E
Analog Devices / Hittite · 封装：DFN-6
该型号为集成电路，主要参数包括工作频率 DC to 6 GHz、技术 GaAs、开关数 Dual、开关配置 SPDT、插入损耗 1 dB、关断隔离度（典型值） 29 dB，采用 DFN-6 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录SKY13431-374LF
Skyworks Solutions, Inc.
该型号为集成电路。CG2214M6
CEL
该型号为集成电路，主要参数包括单件重量 0.000094 oz。GRF6011
Guerrilla RF · 封装：DFN-6
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 0.1～3.8 GHz、开关数 Single、开关配置 SPDT、插入损耗 0.43 dB，采用 DFN-6 封装。MA4SW210
MACOM · 封装：HMIC Die
该型号为集成电路，主要参数包括工作频率 50 MHz to 20 GHz、开关数 Single、开关配置 SPDT、插入损耗 0.7 dB、关断隔离度（典型值） 42 dB、最大工作温度 + 125 C，采用 HMIC Die 封装。SKY13251-349LF
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作频率 3 GHz、开关数 Triple、开关配置 SP3T、插入损耗 0.45 dB、关断隔离度（典型值） 15 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-8 封装。MASWSS0179TR-3000
MACOM · 封装：SOT-26
该型号为集成电路，主要参数包括工作频率 2 GHz、技术 GaAs、开关数 Single、开关配置 SPDT、插入损耗 0.6 dB、关断隔离度（典型值） 22 dB，采用 SOT-26 封装。BGS 12SN6 E6327
Infineon Technologies · 封装：TSNP-6
该型号为集成电路，主要参数包括型号别名 BGS12SN6E6327XTSA1 SP001068580、单件重量 0.000035 oz，采用 TSNP-6 封装。MASW-004103-13655P
MACOM
该型号为集成电路。HMC199AMS8E
Analog Devices · 封装：MSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、工作频率 DC to 2.5 GHz、技术 GaAs、开关数 Dual、开关配置 SPDT、插入损耗 0.6 dB，采用 MSOP-8 封装。SKY13522-644LF
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-8
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 2.5 V、工作频率 700 MHz to 3 GHz、技术 硅、开关数 Single、开关配置 SPDT，采用 QFN-8 封装。ADG901BRMZ
Analog Devices · 封装：MSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.75 V、电源电压（最大值） 2.75 V、电源电压（最小值） V、工作频率 4.5 GHz、开关数 Single、开关配置 SPST，采用 MSOP-8 封装。HMC221BE
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-26-6
该型号为集成电路，主要参数包括工作频率 DC to 3 GHz、技术 GaAs、开关数 Single、开关配置 SPDT、插入损耗 0.4 dB、关断隔离度（典型值） 29 dB，采用 SOT-26-6 封装。HMC194AMS8ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：MSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作频率 DC to 3 GHz、技术 GaAs、开关数 Single、开关配置 SPDT、插入损耗 0.5 dB、关断隔离度（典型值） 55 dB，采用 MSOP-8 封装。HMC349AMS8GE
Analog Devices / Hittite · 封装：MSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、工作频率 DC to 4 GHz、技术 GaAs、开关数 Dual、开关配置 SPDT、插入损耗 1.8 dB，采用 MSOP-8 封装。HMC253AQS24E
Analog Devices / Hittite
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、工作频率 DC to 2.5 GHz、技术 GaAs、开关数 Octal、开关配置 SP8T、插入损耗 1.8 dB。HMC435AMS8GE
Analog Devices / Hittite · 封装：MSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作频率 DC to 4 GHz、技术 GaAs、开关数 Dual、开关配置 SPDT、插入损耗 1.2 dB、关断隔离度（典型值） 40 dB，采用 MSOP-8 封装。HMC284AMS8GETR
Analog Devices / Hittite · 封装：MS8G
该型号为集成电路，主要参数包括工作频率 DC to 3.5 GHz、技术 GaAs、开关数 Dual、开关配置 SPDT、插入损耗 0.7 dB、关断隔离度（典型值） 40 dB，采用 MS8G 封装。CG2409M2
CEL · 封装：Minimold-6
该型号为集成电路，主要参数包括工作频率 0.05～3.8 GHz、技术 GaAs、开关数 Single、开关配置 SPDT、插入损耗 0.5 dB、关断隔离度（典型值） 21 dB，采用 Minimold-6 封装。MA4AGSW1A
MACOM · 封装：Die
该型号为集成电路，主要参数包括工作频率 50 MHz to 70 GHz、开关数 Single、开关配置 SPST、插入损耗 1.2 dB、关断隔离度（典型值） 30 dB、最大工作温度 + 125 C，采用 Die 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。