BGS16MA12E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：ATSLP-12
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.65 V、工作频率 0.1～6 GHz、开关数 Single、开关配置 SP6T、插入损耗 1.3 dB，采用 ATSLP-12 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录F2933NBGP
IDT · 封装：QFN-EP-16
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 50 MHz to 8 GHz、开关数 Dual、开关配置 SPDT、插入损耗 1.6 dB，采用 QFN-EP-16 封装。BGS15MA12E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SLP-12
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.2 V、工作频率 0.1～2.9 GHz、开关数 Single、开关配置 SP5T、最大工作温度 + 85 C，采用 SLP-12 封装。F2932NBGP
IDT · 封装：QFN-EP-16
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 50 MHz to 8 GHz、开关数 Dual、开关配置 SPDT、插入损耗 1.6 dB，采用 QFN-EP-16 封装。F2911NBGP
IDT · 封装：DFN-8
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 1～3500 MHz、技术 硅、开关数 Single、开关配置 SPST，采用 DFN-8 封装。BGS13GA14E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SLP-14
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.4 V、电源电压（最小值） 2.4 V、工作频率 0.1～6 GHz、开关数 Single、开关配置 SP3T、最大工作温度 + 85 C，采用 SLP-14 封装。BGS13PN10E6327XTSA1
Infineon Technologies
该型号为集成电路，主要参数包括工作频率 4 GHz、开关数 Single、开关配置 SP3T、湿敏性 是、型号别名 13PN10 BGS E6327 SP001197202。SKY12207-478LF
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括最大工作温度 + 175 C、最小工作温度 - 55 C、单件重量 0.002014 oz，采用 QFN-16 封装。BGS17GA14E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SLP-14
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.4 V、电源电压（最小值） 2.4 V、工作频率 0.1～3.8 GHz、开关数 Single、开关配置 SP7T、最大工作温度 + 85 C，采用 SLP-14 封装。BGS14GA14E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SLP-14
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.4 V、电源电压（最小值） 2.4 V、工作频率 0.1～6 GHz、开关数 Single、开关配置 SP4T、最大工作温度 + 85 C，采用 SLP-14 封装。BGS18MA14E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：ATSLP-14
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.4 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作频率 0.1～3.8 GHz、开关数 Single、开关配置 SP8T、插入损耗 0.7 dB，采用 ATSLP-14 封装。BGS18MA12E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：ATSLP-12
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.65 V、工作频率 0.1～6 GHz、开关数 Single、开关配置 SP8T、插入损耗 1.2 dB，采用 ATSLP-12 封装。BGSA20GN10E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-10
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.8 V、开关数 Single、开关配置 SP4T、插入损耗 0.8 dB、关断隔离度（典型值） 16 dB，采用 TSNP-10 封装。BGSA14RN10E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-10
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.8 V、开关数 Single、开关配置 SP4T、插入损耗 0.8 dB、关断隔离度（典型值） 16 dB，采用 TSNP-10 封装。BGSX44MA12E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：ATSLP-12-12
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.65 V、工作频率 0.1～3.8 GHz、技术 GaAs、开关数 Quad、开关配置 4P4T，采用 ATSLP-12-12 封装。F2915NBGK
IDT · 封装：QFN-EP-24
该型号为集成电路，主要参数包括长度 4 mm、宽度 4 mm，采用 QFN-EP-24 封装。BGSA143ML10E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSLP-10
该型号为集成电路，主要参数包括工作频率 6 GHz、技术 GaAs、开关数 Single、开关配置 SP4T、型号别名 143ML10 BGSA E6327，采用 TSLP-10 封装。BGSA141MN10E6327XTSA1
ON Semiconductor · 封装：TSNP-10
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 36 V、工作频率 0.6～3.8 GHz、开关数 Single、开关配置 SP4T、关断隔离度（典型值） 16 dB、型号别名 141MN10 BGSA E6327 SP001505416，采用 TSNP-10 封装。F2933NBGP8
IDT · 封装：QFN-EP-16
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 50 MHz to 8 GHz、开关数 Dual、开关配置 SPDT、插入损耗 1.6 dB，采用 QFN-EP-16 封装。BGSX22G5A10E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：ATSLP-10
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.4 V、电源电压（最小值） 1.65 V、工作频率 0.1～6 GHz、开关数 Dual、开关配置 DPDT、插入损耗 1.1 dB，采用 ATSLP-10 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。