CMX993WQ3-REEL
CML Micro · 封装：VQFN-48
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、技术 Si、原产国家或地区 GB、湿敏性 是、型号别名 CMX993WQ3，采用 VQFN-48 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录ADMV4540ACCZ
Analog Devices · 封装：LGA-48
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、接口类型 SPI、最大频率 22 GHz、最小频率 17 GHz，采用 LGA-48 封装。ADMV4540ACCZ-RL7
Analog Devices · 封装：LGA-48
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、接口类型 SPI、最大频率 22 GHz、最小频率 17 GHz，采用 LGA-48 封装。HMC500LP3E
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 8 V、电源电压（最大值） 8 V、电源电压（最小值） 8 V、最大频率 2.2 GHz、最小频率 1.8 GHz、技术 GaAs HBT，采用 QFN-16 封装。MAX5862DUXH+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：FCBGA-280
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 MAX5862，采用 FCBGA-280 封装。MAX5862CUXH+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：FCBGA-280
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 MAX5862，采用 FCBGA-280 封装。MAX5862BUXH+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：FCBGA-280
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 MAX5862，采用 FCBGA-280 封装。MAX5862AUXH+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：FCBGA-280
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、型号别名 MAX5862，采用 FCBGA-280 封装。MAX2150ETI+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-28
主要参数包括工作电源电压 2.7～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 3-Wire、技术 Si、调制格式 Quadrature，采用 TQFN-28 封装。MAX2022ETX+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-36
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、技术 Si、类型 Modulator/Demodulator、原产国家或地区 中国、型号别名 MAX2022，采用 TQFN-EP-36 封装。MAX2021ETX+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：QFN-36
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、技术 Si、原产国家或地区 中国、型号别名 MAX2021、单件重量 0.003266 oz，采用 QFN-36 封装。MAX2021ETX+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：QFN-36
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.25 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、最大频率 1.2 GHz、最小频率 650 MHz、技术 Si，采用 QFN-36 封装。LTC5594IUH#TRPBF
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、最大频率 9 GHz、最小频率 300 MHz、技术 Si，采用 QFN-32 封装。LTC5594IUH#PBF
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、最大频率 9 GHz、最小频率 300 MHz、技术 Si，采用 QFN-32 封装。HMC631LP3ETR
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 8 V、电源电压（最大值） 8 V、电源电压（最小值） 8 V、最大频率 1 GHz、最小频率 700 MHz、技术 GaAs，采用 QFN-16 封装。HMC631LP3E
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 8 V、电源电压（最大值） 8 V、电源电压（最小值） 8 V、最大频率 1 GHz、最小频率 700 MHz、技术 GaAs，采用 QFN-16 封装。HMC630LP3E
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 8 V、电源电压（最大值） 8 V、电源电压（最小值） 8 V、最大频率 1 GHz、最小频率 700 MHz、技术 GaAs，采用 QFN-16 封装。ADAR4002ACPZ
Analog Devices · 封装：LFCSP-14
主要参数包括工作电源电压 1 V, 1.2 V、电源电压（最大值） 1.3 V、电源电压（最小值） 900 mV、接口类型 SPI、最大频率 19 GHz、最小频率 500 MHz，采用 LFCSP-14 封装。ADAR4002ACPZ-CSL
Analog Devices · 封装：LFCSP-14
主要参数包括工作电源电压 1 V, 1.2 V、电源电压（最大值） 1.3 V、电源电压（最小值） 900 mV、接口类型 SPI、最大频率 19 GHz、最小频率 500 MHz，采用 LFCSP-14 封装。ADAR4002ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-14
主要参数包括工作电源电压 1 V, 1.2 V、电源电压（最大值） 1.3 V、电源电压（最小值） 900 mV、接口类型 SPI、最大频率 19 GHz、最小频率 500 MHz，采用 LFCSP-14 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。