ChipSourceHub 美芯科技

射频与无线

按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。

型号列表

20,447 条型号记录
每页 20 条

SI4770-A20-GM

Silicon Labs · 封装:QFN-40

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作频率 36.4 MHz、类型 Broadcast AM/FM Radio Receiver RDS/RBDS、最大工作温度 + 95 C、最小工作温度 - 40 C,采用 QFN-40 封装。

AD6650ABC

Analog Devices · 封装:BGA-121

主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 25 C、湿敏性 是、单件重量 0.008039 oz,采用 BGA-121 封装。

SI4330-B1-FM

Silicon Labs · 封装:QFN-20

主要参数包括电源电压(最大值) 3 V、工作频率 240~960 MHz、类型 ISM Receiver、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、工作电源电流 18.5 mA,采用 QFN-20 封装。

MAX2769ETI+T

Maxim Integrated

主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作频率 32 MHz、类型 Universal GPS Receiver、噪声系数(NF) 1.4 dB、工作电源电流 25 mA。

MAX7036GTP/V+T

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:TQFN-20

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作频率 300~450 MHz、技术 Si、类型 IF、认证等级 AEC-Q100,采用 TQFN-20 封装。

MAX7036GTP/V+

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:TQFN-20

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作频率 300~450 MHz、技术 Si、类型 IF、认证等级 AEC-Q100,采用 TQFN-20 封装。

MAX7036GTP+T

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:TQFN-20

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作频率 300~450 MHz、技术 Si、类型 IF、最大工作温度 + 105 C,采用 TQFN-20 封装。

MAX7036GTP+

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:TQFN-20

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作频率 300~450 MHz、技术 Si、类型 IF、最大工作温度 + 105 C,采用 TQFN-20 封装。

AS3932-BQFT

ScioSense · 封装:QFN-16

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.4 V、工作频率 150 kHz、技术 Si、类型 3D Wake-up、最大工作温度 + 85 C,采用 QFN-16 封装。

AS3933-BQFT

ScioSense · 封装:QFN-16

主要参数包括工作电源电压 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.4 V、工作频率 15~150 kHz、技术 Si、类型 3D Wake-up,采用 QFN-16 封装。

MICRF213AYQS-TR

Microchip Technology · 封装:QSOP-16

主要参数包括技术 Si、类型 Superheterodyne、原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是、型号别名 MICRF213AYQS TR、单件重量 0.010159 oz,采用 QSOP-16 封装。

MICRF219AAYQS-TR

Microchip Technology · 封装:QSOP-16

主要参数包括技术 Si、类型 Superheterodyne、原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是、型号别名 MICRF219AAYQS TR、单件重量 0.010159 oz,采用 QSOP-16 封装。

CMX992Q3

CML Micro · 封装:VQFN-48

主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作频率 100 MHz to 1 GHz、技术 Si、类型 IF,采用 VQFN-48 封装。

CMX992Q3-REEL

CML Micro · 封装:VQFN-48

主要参数包括技术 Si、类型 IF、原产国家或地区 GB、湿敏性 是、型号别名 CMX992Q3,采用 VQFN-48 封装。

CMX994AQ4

CML Micro · 封装:VQFN-40

主要参数包括工作电源电压 3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作频率 100 MHz to 1 GHz、技术 Si、类型 Zero-IF,采用 VQFN-40 封装。

CMX994AQ4-REEL

CML Micro · 封装:VQFN-40

主要参数包括技术 Si、类型 Zero-IF、原产国家或地区 GB、湿敏性 是、型号别名 CMX994AQ4,采用 VQFN-40 封装。

CMX994EQ4

CML Micro · 封装:VQFN-40

主要参数包括工作电源电压 3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作频率 100 MHz to 1 GHz、技术 Si、类型 Zero-IF,采用 VQFN-40 封装。

CMX994EQ4-REEL

CML Micro · 封装:VQFN-40

主要参数包括技术 Si、类型 Zero-IF、原产国家或地区 GB、湿敏性 是、型号别名 CMX994EQ4,采用 VQFN-40 封装。

CMX994GQ4

CML Micro · 封装:VQFN-40

主要参数包括工作电源电压 3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作频率 100 MHz to 1 GHz、技术 Si、类型 Zero-IF,采用 VQFN-40 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

芯片型号库|技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技