LTC5598IUF#TRPBF
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电流 165 mA，采用 QFN-24 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录LT5575EUF#TRPBF
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电流 132 mA，采用 QFN-16 封装。GX66471-HIU
IDT · 封装：9 mm x 14 mm
主要参数包括类型 Modulator、最小工作温度 - 5 C、最大工作温度 + 85 C，采用 9 mm x 14 mm 封装。GX62474B-HIU
IDT · 封装：13 mm x 19 mm
主要参数包括类型 Modulator、调制格式 DP-QPSK、最小工作温度 - 5 C、最大工作温度 + 85 C，采用 13 mm x 19 mm 封装。GX62455-GNU
IDT
主要参数包括类型 Modulator、调制格式 DP-QPSK。GX62476B-HIU
IDT · 封装：10 mm x 14 mm
主要参数包括类型 Modulator、调制格式 DP-QPSK、最小工作温度 - 5 C、最大工作温度 + 85 C，采用 10 mm x 14 mm 封装。GX62474-HIU
IDT · 封装：13 mm x 19 mm
主要参数包括类型 Modulator、调制格式 DP-QPSK、最小工作温度 - 5 C、最大工作温度 + 85 C，采用 13 mm x 19 mm 封装。LTC5594IUH#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：QFN-32
主要参数包括工作电源电压 5 V、最大频率 9 GHz、最小频率 300 MHz、类型 Demodulator、工作电源电流 470 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-32 封装。GX62472-GNU
IDT
主要参数包括类型 Modulator、调制格式 DP-QPSK。LT5517EUF#TRPBF
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电流 90 mA，采用 QFN-16 封装。F1358NBGI8
IDT · 封装：TQFN-36
采用 TQFN-36 封装。F1325NBGI8
IDT
主要参数包括型号别名 IDTF1325。F1375NBGI8
IDT
主要参数包括型号别名 IDTF1375。NJM2594M
NJR · 封装：DMP-8
主要参数包括工作电源电压 4.5～9 V、调制格式 Balanced、工作电源电流 14 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、耗散功率（Pd） 300 mW，采用 DMP-8 封装。NJW2311V-TE1
NJR
Modulator / Demodulator High Precision C-MOS 3-Terminal RegF1650NLGI8
IDT · 封装：VFQFPN-24
主要参数包括高度 0.9 mm、长度 4 mm、宽度 4 mm、型号别名 IDTF1650，采用 VFQFPN-24 封装。F1650NLGI
IDT · 封装：VFQFPN-24
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、最大频率 2400 Hz、最小频率 600 Hz、类型 Modulator、调制格式 Quadrature、工作电源电流 178 mA，采用 VFQFPN-24 封装。LA72910VL-TLM-E
ON Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。AD630SE/883B
Analog Devices
主要参数包括工作电源电压 15 V、最大频率 2 MHz、最小频率 0 Hz、类型 Modulator/Demodulator、调制格式 Balanced。AD630SD/883B
Analog Devices · 封装：CDIP-20 SB
主要参数包括工作电源电压 15 V、最大频率 2 MHz、最小频率 0 Hz、类型 Modulator/Demodulator、调制格式 Balanced，采用 CDIP-20 SB 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。