MZ9313C
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。MACOM
RF Mixer Mixer, 6-26 GHz, Image Reject, DieMACOM
RF Mixer Mixer, 8-36 GHz, 3X3mm, 12-LD PQFN,MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。Mini-Circuits · 封装:7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm
主要参数包括射频频率 200 MHz to 3 GHz、本振频率 200 MHz to 3 GHz、中频频率 0 Hz to 1 GHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 9.8 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm 封装。Fairview Microwave
主要参数包括射频频率 2~18 GHz、本振频率 2~18 GHz、中频频率 0 Hz to 4 GHz、转换损耗(最大值) 8.5 dB、最大工作温度 + 90 C、最小工作温度 - 45 C。Fairview Microwave
主要参数包括射频频率 6~18 GHz、本振频率 6~18 GHz、中频频率 1.5~8 GHz、转换损耗(最大值) 9 dB、最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 55 C。Mini-Circuits · 封装:3125 (7964 metric)
主要参数包括射频频率 5 MHz to 2.5 GHz、本振频率 5 MHz to 2.5 GHz、中频频率 5 MHz to 1.5 GHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 9.8 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 3125 (7964 metric) 封装。Mini-Circuits · 封装:3125 (7864 metric)
主要参数包括射频频率 200 MHz to 3 GHz、本振频率 200 MHz to 3 GHz、中频频率 0 Hz to 1 GHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 9.8 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 3125 (7864 metric) 封装。Mini-Circuits
主要参数包括射频频率 400 MHz to 1.4 GHz、本振频率 400 MHz to 1.4 GHz、中频频率 0 Hz to 800 MHz、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、原产国家或地区 IN。Mini-Circuits
主要参数包括射频频率 300 MHz to 4.3 GHz、本振频率 300 MHz to 4.3 GHz、中频频率 0 Hz to 1 GHz、转换损耗(最大值) 9.5 dB、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C。Mini-Circuits
主要参数包括原产国家或地区 美国。Mini-Circuits
主要参数包括原产国家或地区 美国。Analog Devices · 封装:Die
主要参数包括射频频率 70~90 GHz、中频频率 0 Hz to 18 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 12 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C,采用 Die 封装。Analog Devices · 封装:LGA-24
主要参数包括射频频率 2.5~7 GHz、本振频率 5~7 GHz、中频频率 0 Hz to 3 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 10.5 dB、噪声系数(NF) 8.5 dB,采用 LGA-24 封装。Analog Devices
主要参数包括射频频率 22~38 GHz、本振频率 22~38 GHz、中频频率 0 Hz to 18 GHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 15 dB、噪声系数(NF) 10.5 dB, 11.5 dB。MACOM
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。