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ADE-30+

Mini-Circuits · 封装:7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm

主要参数包括射频频率 200 MHz to 3 GHz、本振频率 200 MHz to 3 GHz、中频频率 0 Hz to 1 GHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 9.8 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm 封装。

FMFX1053

Fairview Microwave

主要参数包括射频频率 2~18 GHz、本振频率 2~18 GHz、中频频率 0 Hz to 4 GHz、转换损耗(最大值) 8.5 dB、最大工作温度 + 90 C、最小工作温度 - 45 C。

FMFX1054

Fairview Microwave

主要参数包括射频频率 6~18 GHz、本振频率 6~18 GHz、中频频率 1.5~8 GHz、转换损耗(最大值) 9 dB、最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 55 C。

RMS-25MH+

Mini-Circuits · 封装:3125 (7964 metric)

主要参数包括射频频率 5 MHz to 2.5 GHz、本振频率 5 MHz to 2.5 GHz、中频频率 5 MHz to 1.5 GHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 9.8 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 3125 (7964 metric) 封装。

RMS-30+

Mini-Circuits · 封装:3125 (7864 metric)

主要参数包括射频频率 200 MHz to 3 GHz、本振频率 200 MHz to 3 GHz、中频频率 0 Hz to 1 GHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 9.8 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 3125 (7864 metric) 封装。

RMS-5L+

Mini-Circuits

主要参数包括射频频率 400 MHz to 1.4 GHz、本振频率 400 MHz to 1.4 GHz、中频频率 0 Hz to 800 MHz、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、原产国家或地区 IN。

ZEM-4300+

Mini-Circuits

主要参数包括射频频率 300 MHz to 4.3 GHz、本振频率 300 MHz to 4.3 GHz、中频频率 0 Hz to 1 GHz、转换损耗(最大值) 9.5 dB、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C。

HMC-MDB277-SX

Analog Devices · 封装:Die

主要参数包括射频频率 70~90 GHz、中频频率 0 Hz to 18 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 12 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C,采用 Die 封装。

HMC557ALC4TR-R5

Analog Devices · 封装:LGA-24

主要参数包括射频频率 2.5~7 GHz、本振频率 5~7 GHz、中频频率 0 Hz to 3 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 10.5 dB、噪声系数(NF) 8.5 dB,采用 LGA-24 封装。

HMC560ALM3TR

Analog Devices

主要参数包括射频频率 22~38 GHz、本振频率 22~38 GHz、中频频率 0 Hz to 18 GHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 15 dB、噪声系数(NF) 10.5 dB, 11.5 dB。

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