TUF-3HSM+
Mini-Circuits
主要参数包括原产国家或地区 美国。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录ZX05-1-S+
Mini-Circuits · 封装：FL905
主要参数包括射频频率 500 kHz to 500 MHz、本振频率 500 kHz to 500 MHz、中频频率 0 Hz to 500 MHz、转换损耗（最大值） 7.8 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 FL905 封装。CMD177C3
Qorvo · 封装：QFN-12
主要参数包括射频频率 6～14 GHz、本振频率 6～14 GHz、中频频率 0 Hz to 5 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 10 dB、噪声系数（NF） 7 dB，采用 QFN-12 封装。CMD178
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括射频频率 11～21 GHz、本振频率 11～21 GHz、中频频率 0 Hz to 6 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 10 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 Die 封装。CMD181
Qorvo
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。CMD181K3
Qorvo
主要参数包括射频频率 26～44 GHz、本振频率 26～44 GHz、中频频率 0 Hz to 10 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 10 dB、噪声系数（NF） 7 dB。CMD182
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括射频频率 6～10 GHz、本振频率 6～10 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 8.5 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 Die 封装。CMD182C4
Qorvo · 封装：QFN-24
主要参数包括射频频率 6～10 GHz、本振频率 6～10 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 9 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-24 封装。CMD183C4
Qorvo · 封装：QFN-24
主要参数包括射频频率 7.5～13 GHz、本振频率 7.5～13 GHz、中频频率 0 Hz to 4.5 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 10 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-24 封装。CMD255C3
Qorvo · 封装：QFN-12
主要参数包括射频频率 16～26 GHz、本振频率 16～26 GHz、中频频率 0 Hz to 9 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 10 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-12 封装。CMD252C4
Qorvo · 封装：QFN-24
主要参数包括射频频率 4～8 GHz、本振频率 4～8 GHz、中频频率 0 Hz to 2.4 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 10 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-24 封装。CMD253
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括射频频率 6～14 GHz、本振频率 6～14 GHz、中频频率 0 Hz to 5 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 11 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 Die 封装。CMD253C3
Qorvo · 封装：QFN-12
主要参数包括射频频率 6～14 GHz、本振频率 6～14 GHz、中频频率 0 Hz to 5 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 11 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-12 封装。CMD254C3
Qorvo · 封装：QFN-12
主要参数包括射频频率 11～21 GHz、本振频率 11～21 GHz、中频频率 0 Hz to 6 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 10 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-12 封装。HMC220BMS8GE
Analog Devices · 封装：Mini SO-8 EP
主要参数包括射频频率 5～12 GHz、本振频率 5～12 GHz、中频频率 0 Hz to 4 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 13 dB、噪声系数（NF） 9.5 dB，采用 Mini SO-8 EP 封装。HMC220BMS8GETR
Analog Devices · 封装：Mini SO-8 EP
主要参数包括射频频率 5～12 GHz、本振频率 5～12 GHz、中频频率 0 Hz to 4 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 13 dB、噪声系数（NF） 9.5 dB，采用 Mini SO-8 EP 封装。HMC265LM3
Analog Devices · 封装：SMT-6
主要参数包括工作电源电压 4 V、电源电压（最大值） 4 V、电源电压（最小值） 3 V、射频频率 20～31 GHz、技术 GaAs、噪声系数（NF） 13 dB，采用 SMT-6 封装。HMC773A-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括射频频率 6～16 GHz、本振频率 6～16 GHz、中频频率 0 Hz to 10 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB、噪声系数（NF） 10.5 dB，采用 Die 封装。M12A
MACOM
RF Mixer Mixer,MicrowaveMAMX-011036-TR0500
MACOM
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。