SBL-1-1+
Mini-Circuits
主要参数包括原产国家或地区 ID。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录SBL-3+
Mini-Circuits
主要参数包括射频频率 25 kHz to 200 MHz、本振频率 25 kHz to 200 MHz、中频频率 0 Hz to 200 MHz、转换损耗（最大值） 8.5 dB、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C。SIM-14+
Mini-Circuits · 封装：HV1195-8
主要参数包括射频频率 3.7～10 GHz、本振频率 3.7～10 GHz、中频频率 0 Hz to 4 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 9.5 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 HV1195-8 封装。SIM-14LH+
Mini-Circuits · 封装：5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm
主要参数包括射频频率 3.7～10 GHz、本振频率 3.7～10 GHz、中频频率 0 Hz to 4 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 8.9 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm 封装。SYM-25DHW+
Mini-Circuits · 封装：9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm
主要参数包括射频频率 80 MHz to 2.5 GHz、本振频率 80 MHz to 2.5 GHz、中频频率 0 Hz to 1 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 9 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm 封装。SIM-153+
Mini-Circuits · 封装：HV1195-8
主要参数包括射频频率 3.4～15 GHz、本振频率 3.4～15 GHz、中频频率 0 Hz to 4 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 10.4 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 HV1195-8 封装。SIM-153LH+
Mini-Circuits · 封装：5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm
主要参数包括射频频率 3.2～15 GHz、本振频率 3.2～15 GHz、中频频率 0 Hz to 4 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 10.3 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm 封装。SIM-153MH+
Mini-Circuits · 封装：5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm
主要参数包括射频频率 3.2～15 GHz、本振频率 3.2～15 GHz、中频频率 0 Hz to 4 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 9.6 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm 封装。SIM-762H+
Mini-Circuits · 封装：5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm
主要参数包括射频频率 2.3～7.6 GHz、本振频率 2.3～7.6 GHz、中频频率 0 Hz to 3 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 8.9 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm 封装。SYM-14H+
Mini-Circuits · 封装：9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm
主要参数包括射频频率 100 MHz to 1.37 GHz、本振频率 100 MHz to 1.37 GHz、中频频率 10 MHz to 1 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 8.9 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm 封装。SYM-18H+
Mini-Circuits · 封装：9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm
主要参数包括射频频率 5 MHz to 1.8 GHz、本振频率 5 MHz to 1.8 GHz、中频频率 10 MHz to 1.5 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 8.9 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm 封装。SYM-2+
Mini-Circuits · 封装：TTT166-6
主要参数包括射频频率 2 MHz to 1 GHz、本振频率 2 MHz to 1 GHz、中频频率 0 Hz to 1 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 9.5 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 TTT166-6 封装。SYM-20DHW+
Mini-Circuits · 封装：TTT167-6
主要参数包括射频频率 10 MHz to 2 GHz、本振频率 10 MHz to 2 GHz、中频频率 1.8～10 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 8.8 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 TTT167-6 封装。SYM-25DLHW+
Mini-Circuits · 封装：9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm
主要参数包括射频频率 40 MHz to 2.5 GHz、本振频率 40 MHz to 2.5 GHz、中频频率 0 Hz to 1 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 8.8 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm 封装。SYM-25DMHW+
Mini-Circuits · 封装：9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm
主要参数包括射频频率 40 MHz to 2.5 GHz、本振频率 40 MHz to 2.5 GHz、中频频率 0 Hz to 1 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 9 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm 封装。SYM-30DHW+
Mini-Circuits · 封装：9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm
主要参数包括射频频率 5 MHz to 3 GHz、本振频率 5 MHz to 3 GHz、中频频率 5 MHz to 1.5 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 9.1 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm 封装。SYM-30DLHW+
Mini-Circuits · 封装：9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm
主要参数包括射频频率 5 MHz to 3 GHz、本振频率 5 MHz to 3 GHz、中频频率 5 MHz to 1.5 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 9.2 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm 封装。SYM-30DMHW+
Mini-Circuits · 封装：9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm
主要参数包括射频频率 5 MHz to 3 GHz、本振频率 5 MHz to 3 GHz、中频频率 5 MHz to 1.5 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 9.3 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm 封装。TAK-5+
Mini-Circuits
主要参数包括射频频率 10 kHz to 250 MHz、本振频率 10 kHz to 250 MHz、中频频率 0 Hz to 250 MHz、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C、原产国家或地区 ID。TUF-3+
Mini-Circuits
主要参数包括射频频率 150 kHz to 400 MHz、本振频率 150 kHz to 400 MHz、中频频率 0 Hz to 400 MHz、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C、原产国家或地区 ID。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。