HMC787AG-SX
Analog Devices · 封装：CHIP-6
主要参数包括射频频率 3～10 GHz、本振频率 3～10 GHz、中频频率 0 Hz to 4 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 11 dB、噪声系数（NF） 10 dB，采用 CHIP-6 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC774ALC3BTR
Analog Devices · 封装：LCC-12
主要参数包括射频频率 7～20 GHz、本振频率 7～34 GHz、中频频率 0 Hz to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 15.5 dB、噪声系数（NF） 12 dB，采用 LCC-12 封装。HMC774ALC3B
Analog Devices · 封装：LCC-12
主要参数包括射频频率 7～20 GHz、本振频率 7～34 GHz、中频频率 0 Hz to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 15.5 dB、噪声系数（NF） 12 dB，采用 LCC-12 封装。HMC774A-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括射频频率 7～22 GHz、本振频率 7～22 GHz、中频频率 0 Hz to 10 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 14 dB、噪声系数（NF） 13 dB，采用 Die 封装。HMC773ALC3BTR-R5
Analog Devices · 封装：LCC-12
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国，采用 LCC-12 封装。HMC773ALC3BTR
Analog Devices · 封装：LCC-12
主要参数包括射频频率 6～26 GHz、本振频率 6～26 GHz、中频频率 0 Hz to 10 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 LCC-12 封装。HMC773ALC3B
Analog Devices · 封装：LCC-12
主要参数包括射频频率 6～26 GHz、本振频率 6～26 GHz、中频频率 0 Hz to 10 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 LCC-12 封装。HMC560ALM3
Analog Devices
主要参数包括射频频率 22～38 GHz、本振频率 22～38 GHz、中频频率 0 Hz to 18 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 15 dB、噪声系数（NF） 10.5 dB, 11.5 dB。HMC560A-SX
Analog Devices / Hittite
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 FR。HMC558ALC3BTR-R5
Analog Devices · 封装：LCC-12
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国，采用 LCC-12 封装。HMC558ALC3BTR
Analog Devices · 封装：LCC-12
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国、湿敏性 是、单件重量 0.000755 oz，采用 LCC-12 封装。HMC558ALC3B
Analog Devices · 封装：LCC-12
主要参数包括射频频率 5.5～14 GHz、本振频率 5.5～14 GHz、中频频率 0 Hz to 6 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 8.5 dB、噪声系数（NF） 10 dB，采用 LCC-12 封装。HMC557ALC4TR
Analog Devices · 封装：LGA-24
主要参数包括射频频率 2.5～7 GHz、本振频率 5～7 GHz、中频频率 0 Hz to 3 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 10.5 dB、噪声系数（NF） 8.5 dB，采用 LGA-24 封装。HMC557ALC4
Analog Devices · 封装：LGA-24
主要参数包括射频频率 2.5～7 GHz、本振频率 5～7 GHz、中频频率 0 Hz to 3 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 10.5 dB、噪声系数（NF） 8.5 dB，采用 LGA-24 封装。HMC554A-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括射频频率 10～20 GHz、本振频率 10～20 GHz、中频频率 0 Hz to 6 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 10 dB、噪声系数（NF） 8.5 dB，采用 Die 封装。HMC553AG-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国，采用 Die 封装。HMC525A-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括射频频率 4～8.5 GHz、本振频率 4～8.5 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 11 dB、噪声系数（NF） 10.5 dB，采用 Die 封装。ADAR2004ACCZ
Analog Devices · 封装：LGA-48
主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 2.5 V、电源电压（最大值） 2.75 V、电源电压（最小值） 1.6 V、射频频率 10～40 GHz、本振频率 2.4～10.1 GHz、中频频率 0 Hz to 800 MHz，采用 LGA-48 封装。ADAR2004ACCZ-R7
Analog Devices · 封装：LGA-48
主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 2.5 V、电源电压（最大值） 2.75 V、电源电压（最小值） 1.6 V、射频频率 10～40 GHz、本振频率 2.4～10.1 GHz、中频频率 0 Hz to 800 MHz，采用 LGA-48 封装。M1G
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。