HMC521A-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括射频频率 8.5～13.5 GHz、本振频率 8.5～13.5 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、转换损耗（最大值） 8.5 dB、噪声系数（NF） 8 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 Die 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MAX2055EUP+TD
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSSOP-20
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 MAX2055，采用 TSSOP-20 封装。MAX2055EUP+D
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSSOP-20
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 MAX2055、单件重量 0.006737 oz，采用 TSSOP-20 封装。MAX2051ETP+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：QFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.25 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、射频频率 850 MHz to 1.55 GHz、技术 SiGe、转换损耗（最大值） 9 dB，采用 QFN-EP-20 封装。MAX2051ETP+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.25 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、射频频率 850 MHz to 1.55 GHz、技术 SiGe、转换损耗（最大值） 7.4 dB，采用 TQFN-EP-20 封装。MAX2042AETP+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、射频频率 1.8～3 GHz、技术 SiGe、转换损耗（最大值） 7.2 dB，采用 TQFN-20 封装。MAX2042AETP+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、射频频率 1.8～3 GHz、技术 SiGe、转换损耗（最大值） 7.2 dB，采用 TQFN-EP-20 封装。MAX2031ETP+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-20
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.25 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、射频频率 650 MHz to 1 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 7 dB，采用 TQFN-20 封装。MAX2031ETP+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.25 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、射频频率 650 MHz to 1 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 7 dB，采用 TQFN-EP-20 封装。MAX2029ETP+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-20
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH、型号别名 MAX2029，采用 TQFN-20 封装。MAX2029ETP+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 MAX2029，采用 TQFN-EP-20 封装。LTC5556IUH#TRPBF
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、射频频率 1.5～7 GHz、本振频率 500 MHz to 8 GHz、中频频率 1～900 MHz、技术 Si，采用 QFN-32 封装。LTC5556IUH#PBF
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、射频频率 1.5～7 GHz、本振频率 500 MHz to 8 GHz、中频频率 1～900 MHz、技术 Si，采用 QFN-32 封装。HMC8192LGTR
Analog Devices
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 韩国。HMC8192LG
Analog Devices · 封装：LGA-25
主要参数包括射频频率 20～42 GHz、本振频率 20～42 GHz、中频频率 0 Hz to 5 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） - 8.5 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 LGA-25 封装。HMC8192-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括射频频率 20～42 GHz、本振频率 20～42 GHz、中频频率 0 Hz to 5 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 15.5 dB、噪声系数（NF） 16 dB，采用 Die 封装。HMC8191-SX
Analog Devices
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 FR。HMC798ALC4TR-R5
Analog Devices · 封装：LGA-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、射频频率 24～34 GHz、本振频率 12～18 GHz、中频频率 0 Hz to 4 GHz，采用 LGA-24 封装。HMC798ALC4TR
Analog Devices · 封装：LGA-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、射频频率 24～34 GHz、本振频率 12～18 GHz、中频频率 0 Hz to 4 GHz，采用 LGA-24 封装。HMC798ALC4
Analog Devices · 封装：LGA-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、射频频率 24～34 GHz、本振频率 12～18 GHz、中频频率 0 Hz to 4 GHz，采用 LGA-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。