PEWGMX1005
Pasternack
主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 2.495998 oz。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
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主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 2.495998 oz。Pasternack
主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 2.495998 oz。Qorvo · 封装:QFN-12
主要参数包括射频频率 11~21 GHz、本振频率 11~21 GHz、中频频率 0 Hz to 6 GHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 10 dB、噪声系数(NF) 7 dB,采用 QFN-12 封装。Qorvo · 封装:Die
主要参数包括射频频率 16~26 GHz、本振频率 16~26 GHz、中频频率 0 Hz to 6 GHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 10 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 Die 封装。Qorvo · 封装:QFN-12
主要参数包括射频频率 16~26 GHz、本振频率 16~26 GHz、中频频率 0 Hz to 9 GHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 10 dB、噪声系数(NF) 7 dB,采用 QFN-12 封装。Qorvo · 封装:Die
主要参数包括射频频率 20~32 GHz、本振频率 20~32 GHz、中频频率 0 Hz to 10 GHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 11 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 Die 封装。Qorvo · 封装:QFN-12
主要参数包括射频频率 20~32 GHz、本振频率 20~32 GHz、中频频率 0 Hz to 10 GHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 11 dB、噪声系数(NF) 7 dB,采用 QFN-12 封装。Qorvo
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国、型号别名 CMD251。Qorvo · 封装:QFN-24
主要参数包括射频频率 6~10 GHz、本振频率 6~10 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 7.5 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 QFN-24 封装。Qorvo
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。Qorvo · 封装:QFN-24
主要参数包括射频频率 7.5~13 GHz、本振频率 7.5~13 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 10 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 QFN-24 封装。Qorvo
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。Qorvo · 封装:QFN-32
主要参数包括工作电源电压 3 V、电源电压(最大值) 3.3 V、电源电压(最小值) 2.7 V、射频频率 30 MHz to 6 GHz、本振频率 85 MHz to 4.2 GHz、中频频率 30 MHz to 6 GHz,采用 QFN-32 封装。Qorvo · 封装:QFN-32
主要参数包括工作电源电压 3 V、电源电压(最大值) 3.3 V、电源电压(最小值) 2.7 V、射频频率 30 MHz to 2.7 GHz、本振频率 85 MHz to 2.7 GHz、中频频率 30 MHz to 2.7 GHz,采用 QFN-32 封装。Qorvo · 封装:Die
主要参数包括射频频率 24~34 GHz、本振频率 24~34 GHz、中频频率 0 Hz to 7 GHz、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C、原产国家或地区 美国,采用 Die 封装。Qorvo
主要参数包括射频频率 30~40 GHz、本振频率 30~40 GHz、中频频率 0 Hz to 5 GHz、转换损耗(最大值) 7 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C。Qorvo
主要参数包括原产国家或地区 中国。Qorvo · 封装:QFN-24
主要参数包括射频频率 2.5~15 GHz、本振频率 2.5~15 GHz、中频频率 0 Hz to 1 GHz、转换损耗(最大值) 8 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C,采用 QFN-24 封装。Qorvo
主要参数包括原产国家或地区 美国。Qorvo · 封装:QFN-24
主要参数包括射频频率 6~26 GHz、本振频率 6~26 GHz、中频频率 0 Hz to 3 GHz、转换损耗(最大值) 8 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C,采用 QFN-24 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。