SYM-63LH+
Mini-Circuits · 封装:9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm
主要参数包括射频频率 1 MHz to 6 GHz、本振频率 1 MHz to 6 GHz、中频频率 0 Hz to 1 GHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 10.8 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Mini-Circuits · 封装:9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm
主要参数包括射频频率 1 MHz to 6 GHz、本振频率 1 MHz to 6 GHz、中频频率 0 Hz to 1 GHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 10.8 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm 封装。Mini-Circuits
主要参数包括原产国家或地区 美国。Mini-Circuits
主要参数包括原产国家或地区 美国。Mini-Circuits · 封装:B02
主要参数包括射频频率 40 kHz to 400 MHz、本振频率 40 kHz to 400 MHz、中频频率 0 Hz to 400 MHz、转换损耗(最大值) 8 dB、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C,采用 B02 封装。Mini-Circuits
主要参数包括组装国家或地区 ID、原产国家或地区 ID。Mini-Circuits
主要参数包括原产国家或地区 美国。Mini-Circuits · 封装:M22
主要参数包括射频频率 500 kHz to 500 MHz、本振频率 500 kHz to 500 MHz、中频频率 500 MHz、转换损耗(最大值) 7 dB、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C,采用 M22 封装。Mini-Circuits · 封装:M22
主要参数包括射频频率 500 kHz to 500 MHz、本振频率 500 kHz to 500 MHz、中频频率 500 MHz、转换损耗(最大值) 7 dB、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C,采用 M22 封装。Mini-Circuits · 封装:M22
主要参数包括射频频率 500 Hz to 10 MHz、本振频率 500 Hz to 10 MHz、中频频率 0 Hz to 10 MHz、转换损耗(最大值) 5.26 dB、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C,采用 M22 封装。Mini-Circuits · 封装:M22
主要参数包括射频频率 500 Hz to 10 MHz、本振频率 500 Hz to 10 MHz、中频频率 0 Hz to 10 MHz、转换损耗(最大值) 5.79 dB、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C,采用 M22 封装。Mini-Circuits · 封装:K18
主要参数包括射频频率 10 MHz to 3 GHz、本振频率 10 MHz to 3 GHz、中频频率 10~800 MHz、转换损耗(最大值) 8.5 dB、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C,采用 K18 封装。Mini-Circuits · 封装:K18
主要参数包括射频频率 1 MHz to 1 GHz、本振频率 1 MHz to 1 GHz、中频频率 0 Hz to 1 GHz、转换损耗(最大值) 8.5 dB、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C,采用 K18 封装。Mini-Circuits
主要参数包括射频频率 1 MHz to 1 GHz、本振频率 1 MHz to 1 GHz、中频频率 1 MHz to 1 GHz、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C、原产国家或地区 美国。Mini-Circuits
主要参数包括原产国家或地区 美国。Mini-Circuits · 封装:55.37 mm x 31.75 mm x 19.05 mm
主要参数包括射频频率 2~4.2 GHz、本振频率 2~4.2 GHz、中频频率 0 Hz to 1.3 GHz、转换损耗(最大值) 8.5 dB、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C,采用 55.37 mm x 31.75 mm x 19.05 mm 封装。Mini-Circuits
主要参数包括射频频率 20~65 GHz、本振频率 20~65 GHz、中频频率 20 GHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 16 dB、最大工作温度 + 85 C。Mini-Circuits
主要参数包括射频频率 5~14 GHz、本振频率 5~14 GHz、中频频率 3 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 11.5 dB、最大工作温度 + 85 C。Mini-Circuits
主要参数包括射频频率 6~24 GHz、本振频率 6~24 GHz、中频频率 6 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 13.5 dB、最大工作温度 + 85 C。Mini-Circuits
主要参数包括射频频率 18~40 GHz、本振频率 18~40 GHz、中频频率 7 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 14.5 dB、最大工作温度 + 85 C。Mini-Circuits
主要参数包括射频频率 18~65 GHz、本振频率 18~65 GHz、中频频率 0 Hz to 20 GHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 19 dB、最大工作温度 + 85 C。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。