SIM-792LH+
Mini-Circuits · 封装：HV1195-8
主要参数包括射频频率 2.3～7.9 GHz、本振频率 2.3～7.9 GHz、中频频率 0 Hz to 3 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 8.5 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 HV1195-8 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录SIM-83+
Mini-Circuits · 封装：5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm
主要参数包括射频频率 2.3～8 GHz、本振频率 2.3～8 GHz、中频频率 0 Hz to 3 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 8.9 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm 封装。SIM-83LH+
Mini-Circuits · 封装：5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm
主要参数包括射频频率 1.7～8 GHz、本振频率 1.7～8 GHz、中频频率 0 Hz to 3 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 8.9 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm 封装。SIM-852MH+
Mini-Circuits
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚。SIM-U432H+
Mini-Circuits · 封装：HV1195-8
主要参数包括射频频率 1.1～3.9 GHz、本振频率 1.1～4.25 GHz、中频频率 100 kHz to 800 MHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 9.8 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 HV1195-8 封装。SIM-U712H+
Mini-Circuits
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚。SIM-U742MH+
Mini-Circuits · 封装：HV1195-8
主要参数包括射频频率 2.3～7.4 GHz、本振频率 2.3～7.4 GHz、中频频率 100 kHz to 3.3 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 9.8 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 HV1195-8 封装。SMIQ-1844H+
Mini-Circuits · 封装：QFN-24
主要参数包括射频频率 18～40 GHz、本振频率 18～40 GHz、中频频率 0 Hz to 7 GHz、技术 GaAs、最大工作温度 + 105 C、最小工作温度 - 55 C，采用 QFN-24 封装。SMIQ-263H+
Mini-Circuits · 封装：QFN-24
主要参数包括射频频率 2～6 GHz、本振频率 2～6 GHz、中频频率 0 Hz to 3 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 13.3 dB、最大工作温度 + 105 C，采用 QFN-24 封装。SMIQ-5143H+
Mini-Circuits · 封装：QFN-24
主要参数包括射频频率 5～14 GHz、本振频率 5～14 GHz、中频频率 0 Hz to 14 GHz、转换损耗（最大值） 9.9 dB、最大工作温度 + 105 C、最小工作温度 - 55 C，采用 QFN-24 封装。SMIQ-6243H+
Mini-Circuits · 封装：QFN-24
主要参数包括射频频率 6～24 GHz、本振频率 6～24 GHz、中频频率 0 Hz to 6 GHz、转换损耗（最大值） 11.6 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-24 封装。SRA-1+
Mini-Circuits · 封装：DIP-8
主要参数包括射频频率 500 kHz to 500 MHz、本振频率 500 kHz to 500 MHz、中频频率 0 Hz to 500 MHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 8.5 dB、最大工作温度 + 100 C，采用 DIP-8 封装。SRA-1-1+
Mini-Circuits
主要参数包括原产国家或地区 美国。SRA-1H+
Mini-Circuits · 封装：A01-8
主要参数包括射频频率 500 kHz to 500 MHz、本振频率 500 kHz to 500 MHz、中频频率 0 Hz to 500 MHz、转换损耗（最大值） 8.5 dB、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C，采用 A01-8 封装。SRA-6+
Mini-Circuits · 封装：A01
主要参数包括射频频率 3 kHz to 100 MHz、本振频率 3 kHz to 100 MHz、中频频率 0 Hz to 100 MHz、转换损耗（最大值） 8.5 dB、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C，采用 A01 封装。SRA-8+
Mini-Circuits
主要参数包括射频频率 500 Hz to 10 MHz、本振频率 500 Hz to 10 MHz、转换损耗（最大值） 5.69 dB、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C、原产国家或地区 美国。SYM-11+
Mini-Circuits · 封装：TTT167-6
主要参数包括射频频率 1 MHz to 2.5 GHz、本振频率 1 MHz to 2.5 GHz、中频频率 10～600 MHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 10.5 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 TTT167-6 封装。SYM-11LH+
Mini-Circuits · 封装：TTT167-6
主要参数包括射频频率 1 MHz to 2 GHz、本振频率 1 MHz to 2 GHz、中频频率 10～600 MHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 9.85 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 TTT167-6 封装。SYM-12+
Mini-Circuits
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 IN。SYM-36H+
Mini-Circuits · 封装：TTT167-6
主要参数包括射频频率 1.5～3.6 GHz、本振频率 1.5～3.6 GHz、中频频率 0 Hz to 600 MHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 9 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 TTT167-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。