MCA1-42MH+
Mini-Circuits · 封装：7.62 mm x 6.35 mm x 2.16 mm
主要参数包括射频频率 1～4.2 GHz、本振频率 1～4.2 GHz、中频频率 0 Hz to 1.5 GHz、转换损耗（最大值） 8.9 dB、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C，采用 7.62 mm x 6.35 mm x 2.16 mm 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MCA1-85+
Mini-Circuits · 封装：7.62 mm x 6.35 mm x 2.16 mm
主要参数包括射频频率 2.8～8.5 GHz、本振频率 2.8～8.5 GHz、中频频率 0 Hz to 1.25 GHz、转换损耗（最大值） 8.2 dB、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C，采用 7.62 mm x 6.35 mm x 2.16 mm 封装。MCA1-85L+
Mini-Circuits · 封装：DZ885
主要参数包括射频频率 2.8～8.5 GHz、本振频率 2.8～8.5 GHz、中频频率 1.2 GHz、转换损耗（最大值） 6.93 dB、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C，采用 DZ885 封装。MDB-24H+
Mini-Circuits · 封装：MCLP-24
主要参数包括射频频率 5～21.5 GHz、本振频率 5～21.5 GHz、中频频率 0 Hz to 5 GHz、技术 GaAs InGaP、转换损耗（最大值） 11.7 dB、噪声系数（NF） 6.9 dB，采用 MCLP-24 封装。MDB-44H+
Mini-Circuits · 封装：MCLP-12
主要参数包括射频频率 10～40 GHz、本振频率 10～40 GHz、中频频率 0 Hz to 15 GHz、技术 GaAs InGaP、转换损耗（最大值） 13.4 dB、噪声系数（NF） 8.6 dB，采用 MCLP-12 封装。MDB-54H+
Mini-Circuits · 封装：MLCP-12
主要参数包括射频频率 20～50 GHz、本振频率 20～50 GHz、中频频率 0 Hz to 20 GHz、技术 InGaP HBT、转换损耗（最大值） 12 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 MLCP-12 封装。MDB-73H+
Mini-Circuits · 封装：MCLP-24
主要参数包括射频频率 2.2～7 GHz、本振频率 2.2～7 GHz、中频频率 0 Hz to 1.6 GHz、技术 GaAs InGaP、转换损耗（最大值） 9.8 dB、噪声系数（NF） 9 dB，采用 MCLP-24 封装。RMS-1+
Mini-Circuits · 封装：3125 (7964 metric)
主要参数包括射频频率 500 kHz to 500 MHz、本振频率 500 kHz to 500 MHz、中频频率 0 Hz to 500 MHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 8.5 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 3125 (7964 metric) 封装。RMS-11X+
Mini-Circuits · 封装：6.35 mm x 7.87 mm x 5.08 mm
主要参数包括射频频率 5 MHz to 1.9 GHz、本振频率 5 MHz to 1.9 GHz、中频频率 5 MHz to 1 GHz、转换损耗（最大值） 9.8 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 6.35 mm x 7.87 mm x 5.08 mm 封装。RMS-1MH+
Mini-Circuits · 封装：6.35 mm x 7.87 mm x 5.08 mm
主要参数包括射频频率 2～500 MHz、本振频率 2～500 MHz、中频频率 0 Hz to 500 MHz、转换损耗（最大值） 8 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 6.35 mm x 7.87 mm x 5.08 mm 封装。RMS-2+
Mini-Circuits · 封装：3125 (7964 metric)
主要参数包括射频频率 5 MHz to 1 GHz、本振频率 5 MHz to 1 GHz、中频频率 0 Hz to 1 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 9.5 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 3125 (7964 metric) 封装。SIM-193H+
Mini-Circuits
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚。SIM-24MH+
Mini-Circuits · 封装：HV1195-8
主要参数包括射频频率 7.3～20 GHz、本振频率 7.3～20 GHz、中频频率 0 Hz to 7.5 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 10.9 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 HV1195-8 封装。SIM-43+
Mini-Circuits · 封装：5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm
主要参数包括射频频率 750 MHz to 4.2 GHz、本振频率 750 MHz to 4.2 GHz、中频频率 0 Hz to 1.5 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 8.1 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm 封装。SIM-43H+
Mini-Circuits · 封装：HV1195-8
主要参数包括射频频率 1～4 GHz、本振频率 1～4 GHz、中频频率 0 Hz to 1.5 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 8.6 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 HV1195-8 封装。SIM-43LH+
Mini-Circuits · 封装：5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm
主要参数包括射频频率 824 MHz to 4.2 GHz、本振频率 824 MHz to 4.2 GHz、中频频率 0 Hz to 1.5 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 8.2 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm 封装。SIM-43MH+
Mini-Circuits · 封装：5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm
主要参数包括射频频率 824 MHz to 4.2 GHz、本振频率 824 MHz to 4.2 GHz、中频频率 0 Hz to 1.5 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 9.8 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm 封装。SIM-63LH+
Mini-Circuits · 封装：HV1195-8
主要参数包括射频频率 750 MHz to 6 GHz、本振频率 750 MHz to 6 GHz、中频频率 0 Hz to 1.5 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 9.3 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 HV1195-8 封装。SIM-722MH+
Mini-Circuits · 封装：5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm
主要参数包括射频频率 2.3～7.2 GHz、本振频率 2.3～7.2 GHz、中频频率 0 Hz to 3 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 9.3 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm 封装。SIM-73L+
Mini-Circuits · 封装：5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm
主要参数包括射频频率 2.4～7 GHz、本振频率 2.4～7 GHz、中频频率 0 Hz to 3 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 8.5 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。