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Mini-Circuits · 封装:7.62 mm x 6.35 mm x 1.52 mm
主要参数包括射频频率 300 MHz to 2.4 GHz、本振频率 300 MHz to 2.4 GHz、中频频率 0 Hz to 700 MHz、转换损耗(最大值) 7.5 dB、最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 55 C,采用 7.62 mm x 6.35 mm x 1.52 mm 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Mini-Circuits · 封装:7.62 mm x 6.35 mm x 1.52 mm
主要参数包括射频频率 300 MHz to 2.4 GHz、本振频率 300 MHz to 2.4 GHz、中频频率 0 Hz to 700 MHz、转换损耗(最大值) 7.5 dB、最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 55 C,采用 7.62 mm x 6.35 mm x 1.52 mm 封装。Mini-Circuits · 封装:SMD-10
主要参数包括射频频率 300 MHz to 2.4 GHz、本振频率 300 MHz to 2.4 GHz、中频频率 0 Hz to 700 MHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 8 dB、最大工作温度 + 125 C,采用 SMD-10 封装。Mini-Circuits · 封装:7.62 mm x 6.35 mm x 1.52 mm
主要参数包括射频频率 300 MHz to 2.4 GHz、本振频率 300 MHz to 2.4 GHz、中频频率 0 Hz to 700 MHz、转换损耗(最大值) 7.7 dB、最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 55 C,采用 7.62 mm x 6.35 mm x 1.52 mm 封装。Mini-Circuits · 封装:7.62 mm x 6.35 mm x 1.52 mm
主要参数包括射频频率 1~4.2 GHz、本振频率 1~4.2 GHz、中频频率 0 Hz to 1.5 GHz、转换损耗(最大值) 7.7 dB、最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 55 C,采用 7.62 mm x 6.35 mm x 1.52 mm 封装。Mini-Circuits · 封装:7.62 mm x 6.35 mm x 1.52 mm
主要参数包括射频频率 1~4.2 GHz、本振频率 1~4.2 GHz、中频频率 0 Hz to 1.5 GHz、转换损耗(最大值) 8 dB、最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 55 C,采用 7.62 mm x 6.35 mm x 1.52 mm 封装。Mini-Circuits · 封装:7.62 mm x 6.35 mm x 1.52 mm
主要参数包括射频频率 1.6~6 GHz、本振频率 1.6~6 GHz、中频频率 0 Hz to 2 GHz、转换损耗(最大值) 7.3 dB、最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 55 C,采用 7.62 mm x 6.35 mm x 1.52 mm 封装。Mini-Circuits · 封装:7.62 mm x 6.35 mm x 1.52 mm
主要参数包括射频频率 1.6~6 GHz、本振频率 1.6~6 GHz、中频频率 0 Hz to 2 GHz、转换损耗(最大值) 7.2 dB、最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 55 C,采用 7.62 mm x 6.35 mm x 1.52 mm 封装。Mini-Circuits · 封装:7.62 mm x 6.35 mm x 2.67 mm
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 750 MHz to 2.4 GHz、本振频率 750 MHz to 2.4 GHz、中频频率 0 Hz to 500 MHz、转换损耗(最大值) 9.8 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 7.62 mm x 6.35 mm x 2.67 mm 封装。Mini-Circuits · 封装:SMD-10
主要参数包括射频频率 2~6 GHz、本振频率 2~6 GHz、中频频率 0 Hz to 1 GHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 8.9 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 SMD-10 封装。Mini-Circuits · 封装:SM2-10
主要参数包括射频频率 1.2~2.4 GHz、本振频率 1.2~2.4 GHz、中频频率 0 Hz to 600 MHz、转换损耗(最大值) 8.5 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C,采用 SM2-10 封装。Mini-Circuits · 封装:SMD-10
主要参数包括射频频率 2.8~5.9 GHz、本振频率 2.8~5.9 GHz、中频频率 0 Hz to 1 GHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 9 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 SMD-10 封装。Mini-Circuits · 封装:SMD-10
主要参数包括射频频率 500 MHz to 3.5 GHz、本振频率 500 MHz to 3.5 GHz、中频频率 10 MHz to 1.5 GHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 8.9 dB、最大工作温度 + 100 C,采用 SMD-10 封装。Mini-Circuits
主要参数包括射频频率 500 MHz to 3.5 GHz、本振频率 500 MHz to 3.5 GHz、中频频率 10 MHz to 1.5 GHz、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C、原产国家或地区 IN。Mini-Circuits · 封装:7.62 mm x 6.35 mm x 4.83 mm
主要参数包括射频频率 500 MHz to 3.5 GHz、本振频率 500 MHz to 3.5 GHz、中频频率 10 MHz to 1.5 GHz、转换损耗(最大值) 8.7 dB、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C,采用 7.62 mm x 6.35 mm x 4.83 mm 封装。Mini-Circuits · 封装:7.62 mm x 6.35 mm x 4.83 mm
主要参数包括射频频率 1~5 GHz、本振频率 1~5 GHz、中频频率 10 MHz to 1.5 GHz、转换损耗(最大值) 10.2 dB、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C,采用 7.62 mm x 6.35 mm x 4.83 mm 封装。Mini-Circuits · 封装:7.62 mm x 6.35 mm x 2.16 mm
主要参数包括射频频率 3.8~12 GHz、本振频率 3.8~12 GHz、中频频率 0 Hz to 1.8 GHz、转换损耗(最大值) 8.5 dB、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C,采用 7.62 mm x 6.35 mm x 2.16 mm 封装。Mini-Circuits · 封装:7.62 mm x 6.35 mm x 2.16 mm
主要参数包括射频频率 300 MHz to 2.4 GHz、本振频率 300 MHz to 2.4 GHz、中频频率 0 Hz to 700 MHz、转换损耗(最大值) 8.9 dB、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C,采用 7.62 mm x 6.35 mm x 2.16 mm 封装。Mini-Circuits · 封装:7.62 mm x 6.35 mm x 2.16 mm
主要参数包括射频频率 300 MHz to 2.4 GHz、本振频率 300 MHz to 2.4 GHz、中频频率 0 Hz to 700 MHz、转换损耗(最大值) 8.9 dB、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C,采用 7.62 mm x 6.35 mm x 2.16 mm 封装。Mini-Circuits · 封装:SMD-10
主要参数包括射频频率 300 MHz to 2.4 GHz、本振频率 300 MHz to 2.4 GHz、中频频率 0 Hz to 700 MHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 8.9 dB、最大工作温度 + 100 C,采用 SMD-10 封装。Mini-Circuits · 封装:SMD-10
主要参数包括射频频率 1~4.2 GHz、本振频率 1~4.2 GHz、中频频率 0 Hz to 1.5 GHz、技术 Si、转换损耗(最大值) 8.9 dB、最大工作温度 + 100 C,采用 SMD-10 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。