ADE-1HW+
Mini-Circuits · 封装：7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm
主要参数包括射频频率 5～750 MHz、本振频率 5～750 MHz、中频频率 0 Hz to 750 MHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 8.8 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录ADE-1L+
Mini-Circuits · 封装：7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm
主要参数包括射频频率 2～500 MHz、本振频率 2～500 MHz、中频频率 0 Hz to 500 MHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 8 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm 封装。ADE-1LH+
Mini-Circuits · 封装：7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm
主要参数包括射频频率 500 kHz to 500 MHz、本振频率 500 kHz to 500 MHz、中频频率 0 Hz to 500 MHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 8.2 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm 封装。ADE-1MH+
Mini-Circuits · 封装：7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm
主要参数包括射频频率 2～500 MHz、本振频率 2～500 MHz、中频频率 0 Hz to 500 MHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 8 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm 封装。ADE-1MHW+
Mini-Circuits · 封装：7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm
主要参数包括射频频率 500 kHz to 600 MHz、本振频率 500 kHz to 600 MHz、中频频率 0 Hz to 600 MHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 8 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm 封装。ADE-2+
Mini-Circuits · 封装：7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm
主要参数包括射频频率 5 MHz to 1 GHz、本振频率 5 MHz to 1 GHz、中频频率 0 Hz to 1 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 9.5 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm 封装。ADE-20+
Mini-Circuits
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 ID。ADE-201FMH+
Mini-Circuits
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 IN。ADE-25MH+
Mini-Circuits · 封装：7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm
主要参数包括射频频率 5 MHz to 2.5 GHz、本振频率 5 MHz to 2.5 GHz、中频频率 5 MHz to 1.5 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 9.8 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm 封装。ADE-2ASK+
Mini-Circuits · 封装：7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm
主要参数包括射频频率 1 MHz to 1 GHz、本振频率 1 MHz to 1 GHz、中频频率 0 Hz to 1 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 9.5 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm 封装。ADE-30W+
Mini-Circuits · 封装：7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm
主要参数包括射频频率 300 MHz to 4 GHz、本振频率 300 MHz to 4 GHz、中频频率 0 Hz to 950 MHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 9.8 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm 封装。ADE-35+
Mini-Circuits · 封装：CD542-6
主要参数包括本振频率 1.6～3.5 GHz、中频频率 0 Hz to 1.5 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 9.8 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 CD542-6 封装。ADE-35MH+
Mini-Circuits · 封装：7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm
主要参数包括射频频率 5 MHz to 3.5 GHz、本振频率 5 MHz to 3.5 GHz、中频频率 5 MHz to 2.5 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 10.5 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm 封装。SMA5101-TL-H
onsemi · 封装：MCPH-6
主要参数包括技术 Si、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、原产国家或地区 中国、耗散功率（Pd） 280 mW，采用 MCPH-6 封装。SYM-2500+
Mini-Circuits · 封装：9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm
主要参数包括射频频率 1 MHz to 2.5 GHz、本振频率 1 MHz to 2.5 GHz、中频频率 0 Hz to 500 MHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 9.8 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm 封装。FMFX1050
Fairview Microwave
主要参数包括射频频率 2～8 GHz、本振频率 2～8 GHz、中频频率 DC to 1.5 GHz、转换损耗（最大值） 7 dB、最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 55 C。FMFX1051
Fairview Microwave
主要参数包括射频频率 2～8 GHz、本振频率 2～8 GHz、中频频率 100 MHz to 4 GHz、转换损耗（最大值） 9 dB、最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 55 C。FMFX1052
Fairview Microwave
主要参数包括射频频率 2～18 GHz、本振频率 2～18 GHz、中频频率 DC to 600 MHz、转换损耗（最大值） 8 dB、最大工作温度 + 90 C、最小工作温度 - 45 C。FMMX1001
Fairview Microwave
主要参数包括射频频率 24～38 GHz、本振频率 24～38 GHz、中频频率 DC to 8 GHz、转换损耗（最大值） 12 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C。FMMX1007
Fairview Microwave
主要参数包括射频频率 6～18 GHz、本振频率 6～18 GHz、中频频率 DC to 3 GHz、转换损耗（最大值） 7.5 dB、最大工作温度 + 50 C、最小工作温度 0 C。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。