LTC5567IUF#TRPBF
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电流 89 mA，采用 QFN-16 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录LTC5541IUH#TRPBF
Analog Devices · 封装：QFN-20
主要参数包括工作电源电流 190.9 mA，采用 QFN-20 封装。LTC5540IUH#TRPBF
Analog Devices · 封装：QFN-20
主要参数包括工作电源电流 193.9 mA，采用 QFN-20 封装。LTC5590IUH#TRPBF
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电流 379 mA，采用 QFN-24 封装。LTC5591IUH#TRPBF
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电流 382 mA，采用 QFN-24 封装。LTC5592IUH#TRPBF
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电流 401 mA，采用 QFN-24 封装。LTC5549IUDB#TRPBF
Analog Devices · 封装：QFN-12
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、射频频率 2～14 GHz、本振频率 1～12 GHz、中频频率 500 MHz to 6 GHz、转换损耗（最大值） 8 dB、噪声系数（NF） 7.9 dB，采用 QFN-12 封装。F0562NLGI8
IDT
主要参数包括型号别名 IDTF0562。F0552NLGI8
IDT
主要参数包括型号别名 IDTF0552。LTC5593IUH#TRPBF
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电流 396 mA，采用 QFN-24 封装。LTC5553IUDB#TRPBF
Analog Devices · 封装：QFN-12
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、射频频率 3～20 GHz、本振频率 1～20 GHz、中频频率 500～9000 MHz、转换损耗（最大值） 11.6 dB、噪声系数（NF） 12.8 dB，采用 QFN-12 封装。LMX8410RGZR
Texas Instruments · 封装：VQFN-48
主要参数包括工作电源电压 3.3 V, 5 V、射频频率 4000～10000 MHz、本振频率 4000～10000 MHz、中频频率 DC to 1350 MHz、技术 硅、噪声系数（NF） 15 dB, 16 dB, 17 dB, 18 dB, 19 dB，采用 VQFN-48 封装。LTC5543IUH#TRPBF
Analog Devices · 封装：QFN-20
主要参数包括工作电源电流 200 mA，采用 QFN-20 封装。LTC5542IUH#TRPBF
Analog Devices · 封装：QFN-20
主要参数包括工作电源电流 200 mA，采用 QFN-20 封装。F1130NBGI8
IDT
RF Mixer Dual RF Down Converting MixerF0502NLGI8
IDT
主要参数包括型号别名 IDTF0502。LTC5569IUF#TRPBF
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电流 90 mA，采用 QFN-16 封装。LTC5544IUF#TRPBF
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电流 194 mA，采用 QFN-16 封装。LTC5555IUFD#TRPBF
Analog Devices · 封装：QFN-28
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、射频频率 1.5～7 GHz、本振频率 0.5～8 GHz、中频频率 1～900 MHz、噪声系数（NF） 23.9 dB、最大工作温度 + 105 C，采用 QFN-28 封装。LTC5576IUF#TRPBF
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电流 99 mA，采用 QFN-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。