F1130NBGI
IDT
RF Mixer Dual RF Down Converting Mixer按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
IDT
RF Mixer Dual RF Down Converting MixerMACOM
RF Mixer 800-1000MHz ISO 38dB LO to RFAnalog Devices · 封装:QFN-16
主要参数包括工作电源电流 60 mA,采用 QFN-16 封装。Analog Devices · 封装:QFN-16
主要参数包括工作电源电流 60 mA,采用 QFN-16 封装。MACOM
RF Mixer 4-23GHz NF7dB@12GHz RF5-25GHz LO4-23GHzAnalog Devices · 封装:QFN-10
主要参数包括工作电源电压 2.7~3.6 V、射频频率 0 MHz to 7 GHz、本振频率 0 MHz to 9 GHz、中频频率 0 MHz to 7 GHz、噪声系数(NF) 15.9 dB、最大工作温度 + 105 C,采用 QFN-10 封装。Analog Devices · 封装:LCC-24
主要参数包括射频频率 4~8.5 GHz、本振频率 4~8.5 GHz、中频频率 DC to 3.5 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 11 dB、噪声系数(NF) 8 dB,采用 LCC-24 封装。IDT
主要参数包括商品名称 Zero-Distortion、型号别名 IDTF1701。MACOM
RF MixerAnalog Devices · 封装:QFN-16
主要参数包括工作电源电流 28 mA,采用 QFN-16 封装。Analog Devices · 封装:TSSOP-16
主要参数包括工作电源电流 56 mA,采用 TSSOP-16 封装。Analog Devices · 封装:QFN-16
主要参数包括工作电源电流 56 mA,采用 QFN-16 封装。Analog Devices · 封装:QFN-16
主要参数包括工作电源电流 28 mA,采用 QFN-16 封装。Analog Devices · 封装:QFN-16
主要参数包括工作电源电流 81.6 mA,采用 QFN-16 封装。Analog Devices · 封装:QFN-16
主要参数包括工作电源电流 78 mA,采用 QFN-16 封装。Analog Devices · 封装:SMT-12
主要参数包括射频频率 11~20 GHz、本振频率 11~20 GHz、中频频率 DC to 6 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 11 dB、噪声系数(NF) 8 dB,采用 SMT-12 封装。Analog Devices · 封装:QFN-24
主要参数包括工作电源电流 226 mA,采用 QFN-24 封装。Analog Devices · 封装:QFN-16
主要参数包括工作电源电流 82 mA,采用 QFN-16 封装。Analog Devices · 封装:QFN-24
主要参数包括工作电源电流 152 mA,采用 QFN-24 封装。Analog Devices · 封装:QFN-16
主要参数包括工作电源电流 56 mA,采用 QFN-16 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。