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HMC264LM3TR

Analog Devices / Hittite · 封装:SMT-6

主要参数包括工作电源电压 4 V、射频频率 20~30 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 12 dB、噪声系数(NF) 12 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 SMT-6 封装。

HMC260ALC3BTR

Analog Devices · 封装:LCC-12

主要参数包括射频频率 10~26 GHz、本振频率 10~26 GHz、中频频率 DC to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 12 dB、噪声系数(NF) 10 dB,采用 LCC-12 封装。

RF2054TR13

Qorvo · 封装:QFN-32

主要参数包括工作电源电压 2.2 V、射频频率 30~2500 MHz、本振频率 940~1000 MHz、中频频率 30~2500 MHz、技术 硅、噪声系数(NF) 11 dB,采用 QFN-32 封装。

HMC329ALC3BTR

Analog Devices / Hittite · 封装:LCC-12

主要参数包括射频频率 24~32 GHz、本振频率 24~32 GHz、中频频率 DC to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 13.5 dB、噪声系数(NF) 12 dB,采用 LCC-12 封装。

MDS-222-PIN

MACOM · 封装:SF-1

主要参数包括最大工作频率 200 MHz,采用 SF-1 封装。

HMC260ALC3BTR-R5

Analog Devices · 封装:LCC-12

主要参数包括射频频率 10~26 GHz、本振频率 10~26 GHz、中频频率 DC to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 12 dB、噪声系数(NF) 10 dB,采用 LCC-12 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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