ADL5354ACPZ-R7
Analog Devices · 封装:LFCSP-36
主要参数包括工作电源电压 3.3~5 V、射频频率 2200~2700 MHz、最大工作频率 2700 MHz、转换损耗(最大值) 20 dB、噪声系数(NF) 10.6 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 LFCSP-36 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Analog Devices · 封装:LFCSP-36
主要参数包括工作电源电压 3.3~5 V、射频频率 2200~2700 MHz、最大工作频率 2700 MHz、转换损耗(最大值) 20 dB、噪声系数(NF) 10.6 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 LFCSP-36 封装。Analog Devices / Hittite · 封装:Die
主要参数包括射频频率 22~38 GHz、本振频率 22~38 GHz、中频频率 DC to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 14.5 dB、噪声系数(NF) 14 dB,采用 Die 封装。MACOM
RF MixerMACOM
主要参数包括最大工作频率 5000 MHz、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 54 C。IDT · 封装:VFQFPN-20
主要参数包括商品名称 Zero-Distortion、型号别名 IDTF1763,采用 VFQFPN-20 封装。MACOM
RF Mixer LO 7-17GHz IF DC-2.5GHzMACOM
RF MixerMACOM
主要参数包括最大工作频率 3400 MHz、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 54 C。MACOM
RF MixerMACOM
RF Mixer RF 10-2800MHz IF 10-2000MHzMACOM · 封装:SM-87
主要参数包括射频频率 0.5~500 MHz、最大工作频率 500 MHz、转换损耗(最大值) 8 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C、工作电源电流 40 mA,采用 SM-87 封装。MACOM
RF MixerMACOM
RF MixerAnalog Devices · 封装:TSSOP-16
主要参数包括工作电源电压 4~5.25 V、射频频率 10~3000 MHz、本振频率 30~2700 MHz、中频频率 1~300 MHz、噪声系数(NF) 15 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 TSSOP-16 封装。Analog Devices · 封装:SMT-12
主要参数包括射频频率 11~20 GHz、本振频率 11~20 GHz、中频频率 DC to 6 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 11 dB、噪声系数(NF) 8 dB,采用 SMT-12 封装。Analog Devices · 封装:LCC-24
主要参数包括射频频率 8.5~13.5 GHz、本振频率 8.5~13.5 GHz、中频频率 DC to 3.5 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 9.5 dB、噪声系数(NF) 14 dB,采用 LCC-24 封装。Analog Devices / Hittite · 封装:LCC-12
主要参数包括射频频率 7~20 GHz、本振频率 7~34 GHz、中频频率 DC to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 15.5 dB、噪声系数(NF) 12 dB,采用 LCC-12 封装。MACOM
RF Mixer LO 5-18GHz IF DC-3GHz SMA Conn.MACOM
RF Mixer 800-1000MHz ISO 35dB LO to RFMACOM
RF Mixer LO 800-3500MHz IF DC-1500MHz型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。