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20,447 条型号记录
每页 20 条

ADL5354ACPZ-R7

Analog Devices · 封装:LFCSP-36

主要参数包括工作电源电压 3.3~5 V、射频频率 2200~2700 MHz、最大工作频率 2700 MHz、转换损耗(最大值) 20 dB、噪声系数(NF) 10.6 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 LFCSP-36 封装。

HMC329A-SX

Analog Devices / Hittite · 封装:Die

主要参数包括射频频率 22~38 GHz、本振频率 22~38 GHz、中频频率 DC to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 14.5 dB、噪声系数(NF) 14 dB,采用 Die 封装。

SM5T17

MACOM

主要参数包括最大工作频率 5000 MHz、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 54 C。

F1763NBGI8

IDT · 封装:VFQFPN-20

主要参数包括商品名称 Zero-Distortion、型号别名 IDTF1763,采用 VFQFPN-20 封装。

SM4TH

MACOM

主要参数包括最大工作频率 3400 MHz、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 54 C。

MAMX-007607-ELCM1H

MACOM · 封装:SM-87

主要参数包括射频频率 0.5~500 MHz、最大工作频率 500 MHz、转换损耗(最大值) 8 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C、工作电源电流 40 mA,采用 SM-87 封装。

LT5511EFE#PBF

Analog Devices · 封装:TSSOP-16

主要参数包括工作电源电压 4~5.25 V、射频频率 10~3000 MHz、本振频率 30~2700 MHz、中频频率 1~300 MHz、噪声系数(NF) 15 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 TSSOP-16 封装。

HMC554ALC3BTR

Analog Devices · 封装:SMT-12

主要参数包括射频频率 11~20 GHz、本振频率 11~20 GHz、中频频率 DC to 6 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 11 dB、噪声系数(NF) 8 dB,采用 SMT-12 封装。

HMC521ALC4TR

Analog Devices · 封装:LCC-24

主要参数包括射频频率 8.5~13.5 GHz、本振频率 8.5~13.5 GHz、中频频率 DC to 3.5 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 9.5 dB、噪声系数(NF) 14 dB,采用 LCC-24 封装。

HMC774ALC3BTR

Analog Devices / Hittite · 封装:LCC-12

主要参数包括射频频率 7~20 GHz、本振频率 7~34 GHz、中频频率 DC to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 15.5 dB、噪声系数(NF) 12 dB,采用 LCC-12 封装。

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