MAX2029ETP+T
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 MAX2029。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 MAX2029。IDT · 封装:VFQFPN-36
主要参数包括商品名称 Zero-Distortion、型号别名 IDTF1100,采用 VFQFPN-36 封装。Analog Devices · 封装:SOIC N
主要参数包括工作电源电压 3 V、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 25 C、开发套件 EVAL-AD608EBZ,采用 SOIC N 封装。Analog Devices / Hittite · 封装:Chip
主要参数包括射频频率 35~45 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 12.5 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C,采用 Chip 封装。Maxim Integrated
主要参数包括工作电源电压 4.75~5.25 V、射频频率 650~1000 MHz、最大工作频率 1000 MHz、转换损耗(最大值) 7 dB、噪声系数(NF) 7 dB、最大工作温度 + 85 C。Texas Instruments · 封装:WQFN-32
主要参数包括射频频率 700~2700 MHz、本振频率 2900 MHz、中频频率 600 MHz、最大工作频率 2700 MHz、噪声系数(NF) 9.2 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 WQFN-32 封装。Analog Devices / Hittite
RF Mixer Fundamental Mixer SMT, 6 - 26 GHzIDT
主要参数包括商品名称 Zero-Distortion。IDT · 封装:TQFN-24
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、射频频率 400~3800 MHz、本振频率 400~3600 MHz、中频频率 50~600 MHz、噪声系数(NF) 10.9 dB、最大工作温度 + 105 C,采用 TQFN-24 封装。IDT · 封装:VFQFPN-36
主要参数包括商品名称 Zero-Distortion、型号别名 IDTF1102 IDTF1102NBGI8,采用 VFQFPN-36 封装。NXP Semiconductors · 封装:SO-20
主要参数包括工作电源电压 9 V、转换损耗(最大值) 13 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、增益 13 dB、工作电源电流 5.7 mA,采用 SO-20 封装。Analog Devices / Hittite · 封装:LCC-24
主要参数包括射频频率 2.5~7 GHz、本振频率 5~7 GHz、中频频率 DC to 3 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 10.5 dB、噪声系数(NF) 8.5 dB,采用 LCC-24 封装。Diodes Incorporated · 封装:SO-8
主要参数包括单件重量 0.002610 oz,采用 SO-8 封装。Analog Devices · 封装:LCC-12
采用 LCC-12 封装。Qorvo · 封装:QFN-32
主要参数包括工作电源电压 3 V、射频频率 30~2500 MHz、本振频率 300~2400 MHz、中频频率 30~2500 MHz、技术 硅、噪声系数(NF) 12 dB,采用 QFN-32 封装。Qorvo
主要参数包括型号别名 RFFC5071。IDT · 封装:VFQFPN-36
主要参数包括商品名称 Zero-Distortion、型号别名 IDTF1150 IDTF1150NBGI8,采用 VFQFPN-36 封装。Analog Devices
RF Mixer Wideband Passive Mix w/ Int PLLAnalog Devices · 封装:LFCSP-20
主要参数包括工作电源电压 3.3 V, 5 V、射频频率 2200~2700 MHz、最大工作频率 2700 MHz、转换损耗(最大值) 8.7 dB、噪声系数(NF) 9.8 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 LFCSP-20 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-20
主要参数包括工作电源电压 3.3 V, 5 V、射频频率 300 MHz to 1.1 GHz、本振频率 330 MHz to 1.55 GHz、中频频率 30~450 MHz、转换损耗(最大值) 6.2 dB、噪声系数(NF) 7.2 dB,采用 LFCSP-20 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。