HMC8193LC4TR-R5
Analog Devices
RF Mixer Mixers射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录RFFC2071ATR13
Qorvo · 封装：QFN-32
主要参数包括工作电源电压 3 V、射频频率 30 MHz to 2.7 GHz、本振频率 85 MHz to 2.7 GHz、中频频率 30 MHz to 2.7 GHz、技术 硅、噪声系数（NF） 13 dB，采用 QFN-32 封装。AD831APZ-REEL
Analog Devices · 封装：PLCC-20
主要参数包括工作电源电压 5.5 V、射频频率 400 MHz、本振频率 400 MHz、中频频率 200 MHz、最大工作频率 400 MHz、噪声系数（NF） 10.3 dB，采用 PLCC-20 封装。HMC686LP4ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 700～1500 MHz、技术 硅、转换损耗（最大值） 10 dB、噪声系数（NF） 8 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-24 封装。HMC338LC3BTR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-12
主要参数包括工作电源电压 4 V、射频频率 24～34 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 18 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-12 封装。HMC-MDB218
Analog Devices / Hittite · 封装：Chip
主要参数包括射频频率 54～64 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 14 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C，采用 Chip 封装。HMC-MDB169
Analog Devices / Hittite · 封装：Chip
主要参数包括射频频率 54～64 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 11 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C，采用 Chip 封装。HMC688LP4ETR
Analog Devices
RF Mixer BiCMOS MMIC Mix w/Int LO amp, 2.0-2.7GHzRFFC5071SR
Qorvo · 封装：QFN-32
主要参数包括工作电源电压 2.7～3.3 V、射频频率 30～6000 MHz、本振频率 85～4200 MHz、中频频率 30～6000 MHz、技术 硅、噪声系数（NF） 15 dB，采用 QFN-32 封装。HMC570-SX
Analog Devices
RF Mixer MMIC I/Q mix 17.7 - 19.7 GHzMAX2051ETP+T
Maxim Integrated · 封装：QFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.25 V、射频频率 850 MHz to 1.55 GHz、最大工作频率 1.55 GHz、转换损耗（最大值） 9 dB、噪声系数（NF） 7.8 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-EP-20 封装。TRF37C32IRTVR
Texas Instruments · 封装：WQFN-32
主要参数包括射频频率 1700～3800 MHz、本振频率 3600 MHz、中频频率 600 MHz、最大工作频率 3800 MHz、噪声系数（NF） 9.9 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 WQFN-32 封装。MAX2032ETP+T
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 MAX2032。ADL5356ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-36
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 1200～2500 MHz、最大工作频率 2500 MHz、转换损耗（最大值） 8.2 dB、噪声系数（NF） 9.9 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 LFCSP-36 封装。HMC1057
Analog Devices / Hittite · 封装：Chip
主要参数包括射频频率 71～86 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 15 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C，采用 Chip 封装。HMC684LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 700～1000 MHz、技术 硅、转换损耗（最大值） 9 dB、噪声系数（NF） 7 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-24 封装。HMC786LP4ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 700～1100 MHz、技术 硅、转换损耗（最大值） 9.5 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-24 封装。HMC687LP4ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 1.7～2.2 GHz、技术 硅、转换损耗（最大值） 10.5 dB、噪声系数（NF） 8 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-24 封装。HMC666LP4ETR
Analog Devices
RF Mixer BiCMOS Mix w/ Int LO amp, 3.1 - 3.9 GHzHMC265
Analog Devices / Hittite · 封装：Chip
主要参数包括工作电源电压 4 V、射频频率 20～32 GHz、技术 GaAs、噪声系数（NF） 13 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C，采用 Chip 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。