HMC557ALC4TR
Analog Devices / Hittite · 封装：LCC-24
主要参数包括射频频率 2.5～7 GHz、本振频率 5～7 GHz、中频频率 DC to 3 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 10.5 dB、噪声系数（NF） 8.5 dB，采用 LCC-24 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC666LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 3.1～3.9 GHz、技术 硅、转换损耗（最大值） 12 dB、噪声系数（NF） 9 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-24 封装。ADL5811ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括射频频率 700～2800 MHz、最大工作频率 2800 MHz、转换损耗（最大值） 7.5 dB、噪声系数（NF） 10.7 dB、开发套件 ADL5811-EVALZ、湿敏性 是，采用 LFCSP-32 封装。HMC1106
Analog Devices / Hittite · 封装：Chip
主要参数包括射频频率 15～36 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 14 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C、耗散功率（Pd） 157 mW，采用 Chip 封装。HMC8191LC4TR
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
主要参数包括射频频率 6～26.5 GHz、本振频率 6～26.5 GHz、中频频率 DC to 5 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 10 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 LFCSP-24 封装。HMC1081
Analog Devices / Hittite · 封装：Chip
主要参数包括射频频率 50～75 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 10.5 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C，采用 Chip 封装。HMC1058
Analog Devices / Hittite · 封装：Chip
主要参数包括射频频率 71～86 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） - 11 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C，采用 Chip 封装。HMC338LC3B
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-12
主要参数包括工作电源电压 4 V、射频频率 24～34 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 18 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-12 封装。HMC689LP4ETR
Analog Devices
RF Mixer BiCMOS MMIC Mix w/Int LO amp, 2.0-2.7GHzTRF37A32IRTVT
Texas Instruments · 封装：WQFN-32
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、射频频率 400 MHz to 1.7 GHz、本振频率 1400 MHz、中频频率 600 MHz、最大工作频率 1700 MHz、噪声系数（NF） 9.6 dB，采用 WQFN-32 封装。HMC337
Analog Devices / Hittite · 封装：Chip
主要参数包括工作电源电压 4 V、射频频率 17～25 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 13 dB、噪声系数（NF） 13 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 Chip 封装。HMC1093
Analog Devices / Hittite · 封装：Chip
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、射频频率 37～46.5 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 16 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C，采用 Chip 封装。RFFC5072ASR
Qorvo · 封装：QFN-32
主要参数包括工作电源电压 3 V、射频频率 30～6000 MHz、本振频率 85～4200 MHz、中频频率 30～6000 MHz、技术 硅、噪声系数（NF） 15 dB，采用 QFN-32 封装。HMC774A
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括射频频率 7～22 GHz、本振频率 7～22 GHz、中频频率 DC to 10 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 14 dB、噪声系数（NF） 13 dB，采用 Die 封装。HMC558ALC3BTR-R5
Analog Devices / Hittite
RF Mixer Double Balance Mixer 5-15GHzRFFC2072ATR13
Qorvo · 封装：QFN-32
主要参数包括工作电源电压 3 V、射频频率 30 MHz to 2.7 GHz、本振频率 85 MHz to 2.7 GHz、中频频率 30 MHz to 2.7 GHz、技术 硅、噪声系数（NF） 13 dB，采用 QFN-32 封装。ADRF6601ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-40
主要参数包括工作电源电压 5.25 V、射频频率 300～2500 MHz、最大工作频率 2500 MHz、转换损耗（最大值） 6.7 dB、噪声系数（NF） 13.5 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 LFCSP-40 封装。TRF37C32IRTVT
Texas Instruments · 封装：WQFN-32
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、射频频率 1700～3800 MHz、本振频率 3600 MHz、中频频率 600 MHz、最大工作频率 3800 MHz、噪声系数（NF） 9.9 dB，采用 WQFN-32 封装。HMC8193LC4TR
Analog Devices · 封装：RF Amplifier
采用 RF Amplifier 封装。HMC338
Analog Devices / Hittite · 封装：Chip
主要参数包括工作电源电压 4 V、射频频率 26～33 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB、噪声系数（NF） 12 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 Chip 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。