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型号列表

20,447 条型号记录
每页 20 条

LTC5552IUDB#TRPBF

Analog Devices · 封装:QFN-12

主要参数包括工作电源电压 3.3 V、射频频率 3~20 GHz、本振频率 1~20 GHz、中频频率 DC to 6 GHz、转换损耗(最大值) 10.8 dB、噪声系数(NF) 11.7 dB,采用 QFN-12 封装。

LTC5543IUH#PBF

Analog Devices · 封装:QFN-20

主要参数包括工作电源电流 200 mA,采用 QFN-20 封装。

LTC5566IUH#PBF

Analog Devices · 封装:QFN-32

主要参数包括工作电源电流 384 mA,采用 QFN-32 封装。

LTC5566IUH#TRPBF

Analog Devices · 封装:QFN-32

主要参数包括工作电源电流 384 mA,采用 QFN-32 封装。

LTC5541IUH#PBF

Analog Devices · 封装:QFN-20

主要参数包括工作电源电流 190.9 mA,采用 QFN-20 封装。

LTC5540IUH#PBF

Analog Devices · 封装:QFN-20

主要参数包括工作电源电流 193.9 mA,采用 QFN-20 封装。

DBM-500

Qorvo

主要参数包括射频频率 1.7~4.2 GHz、本振频率 1.7~4.2 GHz、中频频率 DC to 1.5 GHz、转换损耗(最大值) 6.5 dB、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 54 C。

MD-158-PIN

MACOM · 封装:FP-2

主要参数包括最大工作频率 1500 MHz,采用 FP-2 封装。

SM4B

MACOM

主要参数包括最大工作频率 1500 MHz、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 54 C。

SM4A

MACOM

主要参数包括最大工作频率 1500 MHz、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 54 C。

BH4138FV-E2

ROHM Semiconductor · 封装:SSOP-16

主要参数包括工作电源电压 2.3~5.5 V、射频频率 10~200 MHz、本振频率 129.55 MHz、中频频率 350~500 kHz、噪声系数(NF) 8.5 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 SSOP-16 封装。

HMC-MDB277

Analog Devices / Hittite · 封装:Chip

主要参数包括射频频率 70~90 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 12 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C,采用 Chip 封装。

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