HMC264-SX
Analog Devices
RF Mixer I.C. Sub-Harm Mix 20 - 32 GHz Die按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Analog Devices
RF Mixer I.C. Sub-Harm Mix 20 - 32 GHz DieAnalog Devices
RF Mixer Sub Harm Mix 26-33 GHz DieAnalog Devices · 封装:QFN-12
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、射频频率 3~20 GHz、本振频率 1~20 GHz、中频频率 DC to 6 GHz、转换损耗(最大值) 10.8 dB、噪声系数(NF) 11.7 dB,采用 QFN-12 封装。Analog Devices · 封装:QFN-20
主要参数包括工作电源电流 200 mA,采用 QFN-20 封装。Analog Devices · 封装:QFN-32
主要参数包括工作电源电流 384 mA,采用 QFN-32 封装。Analog Devices · 封装:QFN-32
主要参数包括工作电源电流 384 mA,采用 QFN-32 封装。Analog Devices · 封装:QFN-20
主要参数包括工作电源电流 190.9 mA,采用 QFN-20 封装。Analog Devices · 封装:QFN-20
主要参数包括工作电源电流 193.9 mA,采用 QFN-20 封装。MACOM
RF MixerQorvo
主要参数包括射频频率 1.7~4.2 GHz、本振频率 1.7~4.2 GHz、中频频率 DC to 1.5 GHz、转换损耗(最大值) 6.5 dB、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 54 C。MACOM
RF Mixer LO/RF 3.4-4.7GHz IF DC-1.0GHzMACOM · 封装:FP-2
主要参数包括最大工作频率 1500 MHz,采用 FP-2 封装。MACOM
RF Mixer .05-4.8GHz -54C to +85CMACOM
RF Mixer 10-2800MHz -54C to +85CMACOM
RF Mixer LO/RF 4.0-20.0GHz IF DC-4.0GHzMACOM
主要参数包括最大工作频率 1500 MHz、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 54 C。MACOM
主要参数包括最大工作频率 1500 MHz、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 54 C。MACOM
RF Mixer LO/RF 2.0-24.0GHz IF 1.0-15.0GHzROHM Semiconductor · 封装:SSOP-16
主要参数包括工作电源电压 2.3~5.5 V、射频频率 10~200 MHz、本振频率 129.55 MHz、中频频率 350~500 kHz、噪声系数(NF) 8.5 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 SSOP-16 封装。Analog Devices / Hittite · 封装:Chip
主要参数包括射频频率 70~90 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 12 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C,采用 Chip 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。