HMC218BMS8GE
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括射频频率 3.5～8 GHz、本振频率 3.5～8 GHz、中频频率 DC to 1.6 GHz、最大工作频率 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 7 dB，采用 MSOP-8 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC412BMS8GE
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括射频频率 9～15 GHz、本振频率 9～15 GHz、中频频率 DC to 2.5 GHz、转换损耗（最大值） 9.4 dB、噪声系数（NF） 8.4 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 MSOP-8 封装。HMC129ALC4
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括射频频率 4～8 GHz、本振频率 4～8 GHz、中频频率 DC to 3 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 9 dB、噪声系数（NF） 7 dB，采用 QFN-24 封装。HMC557ALC4
Analog Devices / Hittite · 封装：LCC-24
主要参数包括射频频率 2.5～7 GHz、本振频率 5～7 GHz、中频频率 DC to 3 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 10.5 dB、噪声系数（NF） 8.5 dB，采用 LCC-24 封装。MAX2055EUP+TD
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 MAX2055。HMC8191LC4TR-R5
Analog Devices
RF Mixer SMT I/Q Mixer, 3.0 to 7.5 GHzRFFC5072SR
Qorvo · 封装：QFN-32
主要参数包括工作电源电压 3 V、射频频率 30～6000 MHz、本振频率 85～4200 MHz、中频频率 30～6000 MHz、技术 硅、噪声系数（NF） 15 dB，采用 QFN-32 封装。ADL5350ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-8
主要参数包括工作电源电压 3.5 V、射频频率 750 MHz to 4 GHz、本振频率 500～945 MHz、中频频率 30～250 MHz、最大工作频率 4 GHz、技术 GaAs，采用 LFCSP-8 封装。LTC5551IUF#PBF
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 2.5～3.6 V、射频频率 300～3500 MHz、本振频率 200～3500 MHz、中频频率 5～1000 MHz、噪声系数（NF） 10.9 dB、最大工作温度 + 105 C，采用 QFN-16 封装。HMC525ALC4TR
Analog Devices · 封装：LCC-24
主要参数包括射频频率 4～8.5 GHz、本振频率 4～8.5 GHz、中频频率 DC to 3.5 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 11 dB、噪声系数（NF） 8 dB，采用 LCC-24 封装。HMC774A-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括射频频率 7～22 GHz、本振频率 7～22 GHz、中频频率 DC to 10 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 14 dB、噪声系数（NF） 13 dB，采用 Die 封装。M8TH
MACOM · 封装：TO-8
采用 TO-8 封装。HMC560ALM3
Analog Devices / Hittite · 封装：CE-6-3
主要参数包括射频频率 22 GHz to 29 GHz, 29 GHz to 38 GHz、本振频率 22 GHz to 29 GHz, 29 GHz to 38 GHz、中频频率 DC to 18 GHz、技术 硅、转换损耗（最大值） 15 dB、噪声系数（NF） 10.5 dB, 11.5 dB，采用 CE-6-3 封装。RFFC2072ASR
Qorvo · 封装：QFN-32
主要参数包括工作电源电压 3 V、射频频率 30～2700 MHz、本振频率 85～5400 MHz、中频频率 30～2700 MHz、技术 硅、噪声系数（NF） 10 dB, 13 dB，采用 QFN-32 封装。HMC686LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 700～1500 MHz、技术 硅、转换损耗（最大值） 10 dB、噪声系数（NF） 8 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-24 封装。MAMX-011035-TR0100
MACOM · 封装：QFN-12
主要参数包括射频频率 5.5～19 GHz、本振频率 5.5～19 GHz、中频频率 0～6 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 8 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-12 封装。HMC560ALM3TR
Analog Devices / Hittite · 封装：CE-6-3
主要参数包括射频频率 22 GHz to 29 GHz, 29 GHz to 38 GHz、本振频率 22 GHz to 29 GHz, 29 GHz to 38 GHz、中频频率 DC to 18 GHz、技术 硅、转换损耗（最大值） 15 dB、噪声系数（NF） 10.5 dB, 11.5 dB，采用 CE-6-3 封装。HMC218BMS8GETR
Analog Devices · 封装：TSSOP-8
主要参数包括单件重量 0.005573 oz，采用 TSSOP-8 封装。M86
MACOM
RF Mixer LO 3.5GHz-18GHz IF DC-3GHzM50
MACOM
RF Mixer LO/RF 2-26GHz IF 1-15GHz型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。