HMC339-SX
Analog Devices
RF Mixer Sub Harm Mix 33-42 GHz Die射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录SA616DK/01,118
NXP Semiconductors · 封装：SSOP-20
主要参数包括工作电源电压 3 V、转换损耗（最大值） 17 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、增益 17 dB、工作电源电流 3.5 mA，采用 SSOP-20 封装。MY77C
MACOM
RF MixerM87C
MACOM
RF Mixer LO/RF .5-19GHz IF .03-5GHz SMA ConnMAX2032ETP+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括型号别名 MAX2032，采用 TQFN-EP-20 封装。LT5578IUH#PBF
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电流 152 mA，采用 QFN-24 封装。BH4127FV-E2
ROHM Semiconductor · 封装：SSOP-16
主要参数包括工作电源电压 2.3～5.5 V、射频频率 20～300 MHz、本振频率 20～120 MHz、中频频率 4～15 MHz、噪声系数（NF） 9.7 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 SSOP-16 封装。NJM2552V-TE1
NJR
主要参数包括商品名称 NJM255。LTC5576IUF#PBF
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电流 99 mA，采用 QFN-16 封装。LTC5542IUH#PBF
Analog Devices · 封装：QFN-20
主要参数包括工作电源电压 3.1～3.5 V、射频频率 1.6～2.7 GHz、本振频率 1.7～2.5 GHz、中频频率 5～500 MHz、噪声系数（NF） 10.2 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-20 封装。LTC5569IUF#PBF
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电流 90 mA，采用 QFN-16 封装。LT5527EUF#PBF
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 4.5～5.25 V、射频频率 400～3700 MHz、本振频率 380～3500 MHz、中频频率 0.1～600 MHz、噪声系数（NF） 16.1 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-16 封装。LT5557EUF#PBF
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 2.9～3.9 V、射频频率 400～3800 MHz、本振频率 380～4200 MHz、中频频率 0.1～600 MHz、噪声系数（NF） 15.4 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-16 封装。LT5579IUH#PBF
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 3.15～3.6 V、射频频率 900～3900 MHz、本振频率 750～4300 MHz、中频频率 1000 MHz、噪声系数（NF） 12 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-24 封装。LT5519EUF#PBF
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 0.7～1.4 GHz、本振频率 300～1800 MHz、中频频率 1～400 MHz、噪声系数（NF） 13.6 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-16 封装。LT5520EUF#PBF
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电流 60 mA、单件重量 0.007055 oz，采用 QFN-16 封装。HMC404-SX
Analog Devices · 封装：RF Mixer
采用 RF Mixer 封装。HMC1093-SX
Analog Devices
RF Mixer DB mix with integratedx4 LO multRF2051SR
Qorvo · 封装：QFN-32
主要参数包括工作电源电压 3 V、射频频率 30～2500 MHz、本振频率 300～2400 MHz、中频频率 30～2500 MHz、技术 硅、噪声系数（NF） 12 dB，采用 QFN-32 封装。CSM4T
MACOM
RF Mixer 1-2400MHz -54C to +85C型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。