HMC798ALC4
Analog Devices / Hittite · 封装：LCC-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 24～34 GHz、本振频率 12～18 GHz、中频频率 DC to 4 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 13.5 dB，采用 LCC-24 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录AD608ARZ
Analog Devices · 封装：SOIC N
主要参数包括工作电源电压 3 V、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 25 C、开发套件 EVAL-AD608EBZ、单件重量 0.022505 oz，采用 SOIC N 封装。HMC329A
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括射频频率 22～38 GHz、本振频率 22～38 GHz、中频频率 DC to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 14.5 dB、噪声系数（NF） 14 dB，采用 Die 封装。AD831APZ-REEL7
Analog Devices · 封装：PLCC-20
主要参数包括工作电源电压 5.5 V、射频频率 400 MHz、本振频率 400 MHz、中频频率 200 MHz、最大工作频率 400 MHz、噪声系数（NF） 10.3 dB，采用 PLCC-20 封装。SA616BS,115
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 935292582115、单件重量 0.001567 oz。HMC685LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 1.7～2.2 GHz、技术 硅、转换损耗（最大值） 10 dB、噪声系数（NF） 8 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-24 封装。MAX2031ETP+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.25 V、射频频率 650～1000 MHz、最大工作频率 1000 MHz、转换损耗（最大值） 7 dB、噪声系数（NF） 7 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 TQFN-EP-20 封装。MAX2055EUP+D
Maxim Integrated · 封装：TSSOP-20
主要参数包括型号别名 MAX2055、单件重量 0.006737 oz，采用 TSSOP-20 封装。SA605D/01,118
NXP Semiconductors · 封装：SO-20
主要参数包括最大工作频率 0.455 MHz、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、型号别名 935275266118、单件重量 0.017118 oz，采用 SO-20 封装。HMC687LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 1.7～2.2 GHz、技术 硅、转换损耗（最大值） 10.5 dB、噪声系数（NF） 8 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-24 封装。TRF37B32IRTVT
Texas Instruments · 封装：WQFN-32
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、射频频率 700～2700 MHz、本振频率 2900 MHz、中频频率 600 MHz、最大工作频率 2700 MHz、噪声系数（NF） 9.2 dB，采用 WQFN-32 封装。HMC689LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 2～2.7 GHz、技术 硅、转换损耗（最大值） 11 dB、噪声系数（NF） 7.5 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-24 封装。HMC1106-SX
Analog Devices · 封装：Power Amplifiers
采用 Power Amplifiers 封装。LTC5577IUF#PBF
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 3～3.6 V、射频频率 300～6000 MHz、本振频率 300～6000 MHz、中频频率 1～1500 MHz、噪声系数（NF） 15 dB、最大工作温度 + 105 C，采用 QFN-16 封装。MAMX-011023-SMB
MACOM
RF Mixer 4-23GHz NF7dB@12GHz Sample BoardMDS-189-PIN
MACOM · 封装：SF-1-6
主要参数包括射频频率 1 MHz to 3.5 GHz、最大工作频率 3.5 GHz、转换损耗（最大值） 9.5 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C，采用 SF-1-6 封装。LT5512EUF#PBF
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 4.5～5.25 V、射频频率 0.001～3000 MHz、本振频率 0.001～3000 MHz、中频频率 0.001～2000 MHz、噪声系数（NF） 13.4 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-16 封装。HMC1081-SX
Analog Devices
RF Mixer mix Double-BalancedHMC264LM3
Analog Devices / Hittite · 封装：SMT-6
主要参数包括工作电源电压 4 V、射频频率 20～30 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB、噪声系数（NF） 12 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 SMT-6 封装。SA636DK/01,112
NXP Semiconductors · 封装：SOT-266
主要参数包括型号别名 935275292112、单件重量 0.003474 oz，采用 SOT-266 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。