MD-113-PIN
MACOM · 封装：FP-2
采用 FP-2 封装。射频与无线
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
20,447 条型号记录M2G
MACOM
RF MixerADL5802ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 100～6000 MHz、最大工作频率 6000 MHz、转换损耗（最大值） 18 dB、噪声系数（NF） 11 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 LFCSP-24 封装。HMC-C049
Analog Devices / Hittite · 封装：C-11
主要参数包括射频频率 7～14 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 11 dB、噪声系数（NF） 8 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C，采用 C-11 封装。SA602AD/01,118
NXP Semiconductors · 封装：SO-8
主要参数包括工作电源电压 6 V、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、型号别名 935275261118、单件重量 0.002628 oz，采用 SO-8 封装。M6EH
MACOM
RF Mixer LO 5-750MHz IF DC-500MHzMDS-169-PIN
MACOM · 封装：SF-1-6
主要参数包括射频频率 1 MHz to 3.5 GHz、最大工作频率 3.5 GHz、转换损耗（最大值） 10 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C，采用 SF-1-6 封装。GRF7001
Guerrilla RF · 封装：DFN-6
主要参数包括工作电源电压 3～5 V、射频频率 808 MHz、本振频率 965 MHz、中频频率 157 MHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 6 dB，采用 DFN-6 封装。HMC264
Analog Devices / Hittite · 封装：Chip
主要参数包括工作电源电压 4 V、射频频率 20～32 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 13 dB、噪声系数（NF） 13 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 Chip 封装。HMC-MDB172
Analog Devices / Hittite · 封装：Chip
主要参数包括射频频率 19～33 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 11 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C，采用 Chip 封装。AD607ARSZ
Analog Devices · 封装：SSOP
主要参数包括工作电源电压 3 V、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、开发套件 EVAL-AD607EBZ、单件重量 0.012134 oz，采用 SSOP 封装。LT5560EDD#PBF
Analog Devices · 封装：DFN-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.3 V、射频频率 0.01～4000 MHz、本振频率 0.01～4000 MHz、中频频率 0.01～4000 MHz、噪声系数（NF） 10.3 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 DFN-8 封装。M51
MACOM · 封装：M-PAC
采用 M-PAC 封装。AD831APZ
Analog Devices · 封装：PLCC-20
主要参数包括工作电源电压 4.5～5.5 V、射频频率 400 MHz、本振频率 400 MHz、中频频率 200 MHz、最大工作频率 400 MHz、噪声系数（NF） 10.3 dB，采用 PLCC-20 封装。HMC1048ALC3B
Analog Devices · 封装：LCC-12
主要参数包括射频频率 2.25～18 GHz、本振频率 2.25～18 GHz、中频频率 DC to 4 GHz、转换损耗（最大值） 14 dB、噪声系数（NF） 10 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 LCC-12 封装。AD8342ACPZ-REEL7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 3 GHz、本振频率 3 GHz、中频频率 2.4 GHz、最大工作频率 3 GHz、转换损耗（最大值） 3.7 dB，采用 LFCSP-16 封装。HMC260ALC3B
Analog Devices · 封装：LCC-12
主要参数包括射频频率 10～26 GHz、本振频率 10～26 GHz、中频频率 DC to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB、噪声系数（NF） 10 dB，采用 LCC-12 封装。HMC264LC3B
Analog Devices / Hittite · 封装：LC3B-12
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 21～31 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB、噪声系数（NF） 9 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 LC3B-12 封装。HMC774ALC3B
Analog Devices / Hittite · 封装：LCC-12
主要参数包括射频频率 7～20 GHz、本振频率 7～34 GHz、中频频率 DC to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 15.5 dB、噪声系数（NF） 12 dB，采用 LCC-12 封装。MAMX-011021-TR1000
MACOM · 封装：TDFN-6
主要参数包括射频频率 5～35 GHz、转换损耗（最大值） 9 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、单件重量 0.001764 oz，采用 TDFN-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。