HMC558ALC3BTR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括湿敏性 是。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC220BMS8GETR
Analog Devices / Hittite
RF Mixer 5-12 GHz DBL-BAL MixerHMC773ALC3BTR
Analog Devices / Hittite · 封装：LCC-12
主要参数包括射频频率 6～26 GHz、本振频率 6～26 GHz、中频频率 DC to 10 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 LCC-12 封装。HMC521ALC4
Analog Devices · 封装：LCC-24
主要参数包括射频频率 8.5～13.5 GHz、本振频率 8.5～13.5 GHz、中频频率 DC to 3.5 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 9.5 dB、噪声系数（NF） 14 dB，采用 LCC-24 封装。LTC5562IUC#TRMPBF
Analog Devices · 封装：QFN-10
主要参数包括工作电源电压 2.7～3.6 V、射频频率 0 MHz to 7 GHz、本振频率 0 MHz to 9 GHz、中频频率 0 MHz to 7 GHz、噪声系数（NF） 15.9 dB、最大工作温度 + 105 C，采用 QFN-10 封装。HMC773A
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括射频频率 6～16 GHz、本振频率 6～16 GHz、中频频率 DC to 10 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB、噪声系数（NF） 10.5 dB，采用 Die 封装。HMC219BMS8GETR
Analog Devices
RF Mixer MixerHMC773A-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括射频频率 6～16 GHz、本振频率 6～16 GHz、中频频率 DC to 10 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB、噪声系数（NF） 10.5 dB，采用 Die 封装。HMC8192
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括射频频率 20～42 GHz、本振频率 20～42 GHz、中频频率 0 Hz to 5 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 15.5 dB、噪声系数（NF） 16 dB，采用 Die 封装。HMC219BMS8GE
Analog Devices · 封装：SO-8
主要参数包括射频频率 2.5～7 GHz、本振频率 2.5～7 GHz、中频频率 DC to 3 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 11 dB、噪声系数（NF） 8 dB，采用 SO-8 封装。F1192NLGI
IDT · 封装：TQFN-24
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、射频频率 400 MHz to 3.8 GHz、本振频率 400 MHz to 3.6 GHz、中频频率 50～600 MHz、最大工作频率 3.8 GHz、噪声系数（NF） 10.9 dB，采用 TQFN-24 封装。LTC5510IUF#TRPBF
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电流 105 mA，采用 QFN-16 封装。HMC525ALC4
Analog Devices · 封装：LCC-24
主要参数包括射频频率 4～8.5 GHz、本振频率 4～8.5 GHz、中频频率 DC to 3.5 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 11 dB、噪声系数（NF） 8 dB，采用 LCC-24 封装。ADL5801ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 10 MHz to 6 GHz、本振频率 10 MHz to 6 GHz、中频频率 10～600 MHz、最大工作频率 6000 MHz、技术 SiGe，采用 LFCSP-24 封装。SA615DK/01,118
NXP Semiconductors · 封装：SSOP-20
主要参数包括工作电源电压 9 V、转换损耗（最大值） 13 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、增益 13 dB、工作电源电流 5.7 mA，采用 SSOP-20 封装。SA639DH/01,118
NXP Semiconductors · 封装：TSSOP-24
主要参数包括工作电源电压 3 V、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、型号别名 935275293118、单件重量 0.006452 oz，采用 TSSOP-24 封装。SA612AD/01,112
NXP Semiconductors · 封装：SO-8
主要参数包括工作电源电压 6 V、射频频率 500 MHz、本振频率 200 MHz、中频频率 45 MHz、噪声系数（NF） 5 dB、增益 17 dB，采用 SO-8 封装。LT5522EUF#PBF
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 4.5～5.25 V、射频频率 400～2700 MHz、本振频率 400～2700 MHz、中频频率 0.1～1000 MHz、噪声系数（NF） 15.6 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-16 封装。LT5521EUF#PBF
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 3.15～5.25 V、射频频率 10～3700 MHz、本振频率 10～4000 MHz、中频频率 10～3000 MHz、噪声系数（NF） 12.5 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-16 封装。MAMX-009239-001500
MACOM · 封装：SM-87
主要参数包括射频频率 10～2500 MHz、最大工作频率 2500 MHz、转换损耗（最大值） 9 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 10 C、工作电源电流 40 mA，采用 SM-87 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。