LTC5555IUFD#PBF
Analog Devices · 封装：QFN-28
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、射频频率 1.5～7 GHz、本振频率 0.5～8 GHz、中频频率 1～900 MHz、噪声系数（NF） 23.9 dB、最大工作温度 + 105 C，采用 QFN-28 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC292ALC3B
Analog Devices · 封装：LLC-12
主要参数包括射频频率 14～32 GHz、本振频率 14～32 GHz、中频频率 DC to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12.5 dB、噪声系数（NF） 14 dB，采用 LLC-12 封装。RFFC2071TR13
Qorvo · 封装：QFN-32
主要参数包括工作电源电压 3 V、射频频率 30 MHz to 2.7 GHz、本振频率 85 MHz to 2.7 GHz、中频频率 30 MHz to 2.7 GHz、技术 硅、噪声系数（NF） 13 dB，采用 QFN-32 封装。RFFC5072TR13
Qorvo · 封装：QFN-32
主要参数包括工作电源电压 3 V、射频频率 30～6000 MHz、本振频率 85～4200 MHz、中频频率 30～6000 MHz、技术 硅、噪声系数（NF） 15 dB，采用 QFN-32 封装。HMC773ALC3B
Analog Devices / Hittite · 封装：LCC-12
主要参数包括射频频率 6～26 GHz、本振频率 6～26 GHz、中频频率 DC to 10 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 LCC-12 封装。HMC558ALC3B
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-12
主要参数包括射频频率 5.5～14 GHz、本振频率 5.5～14 GHz、中频频率 6 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 8.5 dB、噪声系数（NF） 10 dB，采用 QFN-12 封装。MAMX-011054-TR0100
MACOM · 封装：AQFN-12
主要参数包括射频频率 18～46 GHz、本振频率 18～46 GHz、中频频率 0～20 GHz、转换损耗（最大值） 13.5 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C，采用 AQFN-12 封装。RF2053TR13
Qorvo · 封装：QFN-32
主要参数包括工作电源电压 3 V、射频频率 30 MHz to 2.5 GHz、本振频率 75 MHz to 2.4 GHz、中频频率 30 MHz to 2.5 GHz、技术 硅、噪声系数（NF） 12 dB，采用 QFN-32 封装。LMX8410RGZT
Texas Instruments · 封装：VQFN-48
主要参数包括工作电源电压 3.3 V, 5 V、射频频率 4000～10000 MHz、本振频率 4000～10000 MHz、中频频率 DC to 1350 MHz、技术 硅、噪声系数（NF） 15 dB, 16 dB, 17 dB, 18 dB, 19 dB，采用 VQFN-48 封装。LTC5553IUDB#TRMPBF
Analog Devices · 封装：QFN-12
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、射频频率 3～20 GHz、本振频率 1～20 GHz、中频频率 500～9000 MHz、转换损耗（最大值） 11.6 dB、噪声系数（NF） 12.8 dB，采用 QFN-12 封装。LTC5548IUDB#TRMPBF
Analog Devices · 封装：QFN-12
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、射频频率 2～14 GHz、本振频率 1～12 GHz、中频频率 DC to 6 GHz、转换损耗（最大值） 7.1 dB、噪声系数（NF） 8 dB，采用 QFN-12 封装。HMC787ALC3BTR
Analog Devices
主要参数包括湿敏性 是。HMC787ALC3B
Analog Devices · 封装：LCC-12
主要参数包括射频频率 3～10 GHz、本振频率 3～10 GHz、中频频率 DC to 4 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 11 dB、噪声系数（NF） 9 dB，采用 LCC-12 封装。HMC520ALC4
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括射频频率 6～10 GHz、本振频率 6～10 GHz、中频频率 3.5 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 8 dB、噪声系数（NF） 9.5 dB，采用 QFN-24 封装。HMC8191LC4
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括射频频率 6～26.5 GHz、本振频率 6～26.5 GHz、中频频率 DC to 5 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 11 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-24 封装。HMC220BMS8GE
Analog Devices / Hittite
RF Mixer 5-12 GHz DBL-BAL MixerLTC5552IUDB#TRMPBF
Analog Devices · 封装：QFN-12
主要参数包括工作电源电压 3～3.6 V、射频频率 3～20 GHz、本振频率 1～20 GHz、中频频率 DC to 6000 MHz、转换损耗（最大值） 10.8 dB、噪声系数（NF） 11.7 dB，采用 QFN-12 封装。HMC8192-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括射频频率 20～42 GHz、本振频率 20～42 GHz、中频频率 0 Hz to 5 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 15.5 dB、噪声系数（NF） 16 dB，采用 Die 封装。HMC520ALC4TR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括湿敏性 是。HMC412BMS8GETR
Analog Devices
RF Mixer DBL-BAL Mixer SMT 9 - 15 GHz型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。