MAX32690GTK+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-68
该型号为微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 32.768 kHz、程序存储容量 3.25 MB、数据 RAM 容量 1 MB、ADC 分辨率 12 位、ADC 通道数 8 个通道、电源电压（最小值） 1.71 V，采用 TQFN-EP-68 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MAX32690EXEBL+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：CTBGA-144
该型号为微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、程序存储容量 3.25 MB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 104 个输入／输出、ADC 通道数 8 个通道、电源电压（最小值） 1.71 V，采用 CTBGA-144 封装。MAX32690EXEBL+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：CTBGA-144
该型号为微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、程序存储容量 3.25 MB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 104 个输入／输出、ADC 通道数 8 个通道、电源电压（最小值） 1.71 V，采用 CTBGA-144 封装。MAX32690EXE+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：CTBGA-144
该型号为微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、程序存储容量 3.25 MB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 104 个输入／输出、ADC 通道数 8 个通道、电源电压（最小值） 1.71 V，采用 CTBGA-144 封装。MAX32690EXE+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：CTBGA-144
该型号为微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、程序存储容量 3.25 MB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 104 个输入／输出、ADC 通道数 8 个通道、电源电压（最小值） 1.71 V，采用 CTBGA-144 封装。RW610BET/A2IK
NXP Semiconductors
该型号为微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 260 MHz、数据 RAM 容量 1.2 MB、接口类型 Bluetooth, I2C, I2S, PWM, SDIO, SPI, UART, USB 2.0 OTG, WiFi、工作频率 2.4 GHz, 5 GHz、技术 Si、数据 RAM 类型 SRAM。RW610HN/A2IK
NXP Semiconductors
该型号为微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 260 MHz、数据 RAM 容量 1.2 MB、接口类型 Bluetooth, I2C, I2S, PWM, SDIO, SPI, UART, USB 2.0 OTG, WiFi、工作频率 2.4 GHz, 5 GHz、技术 Si、数据 RAM 类型 SRAM。CYW55903IUBGTXTMA1
Infineon Technologies
该型号为微控制器（MCU），主要参数包括技术 Si、组装国家或地区 SG、晶圆制造国家或地区 中国台湾、型号别名 CYW55903IUBGT SP005988842。CYW55573MIWBGT
Infineon Technologies
该型号为微控制器（MCU），主要参数包括技术 Si、组装国家或地区 中国台湾、晶圆制造国家或地区 中国台湾、商品名称 AIROC。CYW55901IUBGTXTMA1
Infineon Technologies
该型号为微控制器（MCU），主要参数包括技术 Si、组装国家或地区 SG、晶圆制造国家或地区 中国台湾、型号别名 CYW55901IUBGT SP005988818。CYW55902IUBGTXTMA1
Infineon Technologies
该型号为微控制器（MCU），主要参数包括技术 Si、组装国家或地区 SG、晶圆制造国家或地区 中国台湾、型号别名 CYW55902IUBGT SP005988832。CYW55911IUBGTXTMA1
Infineon Technologies · 封装：WLBGA-143
该型号为微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 192 MHz、数据 RAM 容量 768 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 47 个输入／输出、ADC 通道数 7 个通道、电源电压（最小值） 3 V，采用 WLBGA-143 封装。NPA1003QA
MACOM
主要参数包括湿敏性 是。MAMX-011036-TR0100
MACOM · 封装：AQFN-12
主要参数包括射频频率 8～43 GHz、本振频率 8～43 GHz、中频频率 0～10 GHz、技术 硅、转换损耗（最大值） 10 dB, 10.5 dB, 13 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 AQFN-12 封装。HMC524ALC3B
Analog Devices · 封装：LCC-12
主要参数包括射频频率 22～32 GHz、本振频率 22～32 GHz、中频频率 DC to 4.5 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 13 dB、噪声系数（NF） 15 dB，采用 LCC-12 封装。HMC553ALC3B
Analog Devices · 封装：LCC-12
主要参数包括射频频率 6～14 GHz、本振频率 6～14 GHz、中频频率 DC to 5 GHz、转换损耗（最大值） 10 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 LCC-12 封装。HMC8193LC4
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
主要参数包括射频频率 2.5～8.5 GHz、本振频率 2.5～8.5 GHz、中频频率 DC to 3.5 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 10 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 LFCSP-24 封装。HMC292A
Analog Devices · 封装：Chip-7
主要参数包括射频频率 14～32 GHz、本振频率 14～32 GHz、中频频率 DC to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12.5 dB、噪声系数（NF） 14 dB，采用 Chip-7 封装。HMC292ALC3BTR-R5
Analog Devices · 封装：LLC-12
主要参数包括射频频率 14～32 GHz、本振频率 14～32 GHz、中频频率 DC to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12.5 dB、噪声系数（NF） 14 dB，采用 LLC-12 封装。MAMX-011037-DIE
MACOM · 封装：Die
主要参数包括射频频率 18～46 GHz、本振频率 18～46 GHz、中频频率 0～20 GHz、转换损耗（最大值） 12 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C，采用 Die 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。