BLM8D1822S-50PBGY
Ampleon · 封装：SOT1212-3-16
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.805～2.17 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 28.5 dB、输出功率 48.4 dBm、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT1212-3-16 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录BLM9D3438-16AMZ
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 3.4～3.8 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 29.5 dB、输出功率 42 dBm、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。BLM9D3538-12AMZ
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 3.4～3.8 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 36 dB、输出功率 40 dBm、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。BLP0427M9S20GXY
Ampleon · 封装：TO-270-2G-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 400 MHz to 2.7 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 500 mOhms，采用 TO-270-2G-1-3 封装。BLP15M9S70XY
Ampleon · 封装：TO-270-2F-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 185 mOhms，采用 TO-270-2F-1-3 封装。BLP05H9S500PY
Ampleon · 封装：OMP-780-4F-1-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 423～443 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 120 mOhms，采用 OMP-780-4F-1-4 封装。BLP15H9S30XY
Ampleon · 封装：TO-270-2F-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 890 mOhms，采用 TO-270-2F-1-3 封装。BLP15H9S30Z
Ampleon · 封装：TO-270-2F-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 890 mOhms，采用 TO-270-2F-1-3 封装。BLP15M9S100GXY
Ampleon · 封装：TO-270-2G-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 143 mOhms，采用 TO-270-2G-1-3 封装。BLP15M9S100GZ
Ampleon · 封装：TO-270-2G-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 143 mOhms，采用 TO-270-2G-1-3 封装。BLP15M9S100XY
Ampleon · 封装：TO-270-2F-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 143 mOhms，采用 TO-270-2F-1-3 封装。BLP15M9S70GXY
Ampleon · 封装：TO-270-2G-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 370 mOhms，采用 TO-270-2G-1-3 封装。BLP15M9S70GZ
Ampleon · 封装：TO-270-2G-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 185 mOhms，采用 TO-270-2G-1-3 封装。MMA-012030
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 100 MHz to 20 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 P-Channel、连续漏极电流（Id） 500 mA，采用 Die 封装。MMA-012030-M4
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 100 MHz to 20 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 P-Channel、连续漏极电流（Id） 500 mA，采用 Die 封装。MMA-012727
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 100 MHz to 26.5 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 P-Channel、连续漏极电流（Id） 250～500 mA，采用 Die 封装。MMA-012727-M4
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 100 MHz to 26.5 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 P-Channel、连续漏极电流（Id） 250～500 mA，采用 Die 封装。MWT-PH29F70
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 18 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 13 dB，采用 Die 封装。MWT-11F
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 9 dB、输出功率 32 dBm，采用 Die 封装。MWT-PH28F71
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 26 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 13 dB，采用 Die 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。