BLA9H0912L-1200PU
Ampleon · 封装：SOT539A-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 960 MHz to 1.215 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 60 mOhms，采用 SOT539A-5 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录ART700FHGJ
Ampleon · 封装：SOT1214C-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～450 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 55 V、漏源导通电阻（Rds On） 171 mOhms，采用 SOT1214C-5 封装。ART700FHSU
Ampleon · 封装：SOT1214B-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～450 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 55 V、漏源导通电阻（Rds On） 171 mOhms，采用 SOT1214B-5 封装。B10G4750N12DLZ
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 4.7～5 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 30 dB、输出功率 12 W、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。B10H0608N40DX
Ampleon · 封装：LGA-34
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 600～800 MHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 48 V、增益 34 dB、输出功率 46.9 dBm、最小工作温度 - 40 C，采用 LGA-34 封装。B10H0608N40DYZ
Ampleon · 封装：LGA-34
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 600～800 MHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 48 V、增益 34 dB、输出功率 46.9 dBm、最小工作温度 - 40 C，采用 LGA-34 封装。B10H0710N40DX
Ampleon · 封装：LGA-34
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 700 MHz to 1 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 52 V、增益 35 dB、输出功率 47 dBm、最小工作温度 - 40 C，采用 LGA-34 封装。BLA9G1011LS-300GU
Ampleon · 封装：SOT502E-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.03～1.09 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 43 mOhms，采用 SOT502E-3 封装。BLP15M9S70Z
Ampleon · 封装：TO-270-2F-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 185 mOhms，采用 TO-270-2F-1-3 封装。BLP2425M10S250PY
Ampleon · 封装：OMP-780-4F-1-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2.4～2.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 95 mOhms，采用 OMP-780-4F-1-5 封装。BLS9G3135L-400U
Ampleon · 封装：SOT502A-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 3.1～3.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 26 mOhms，采用 SOT502A-3 封装。BLS9G3135LS-115U
Ampleon · 封装：SOT1135B-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 3.1～3.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 120 mOhms，采用 SOT1135B-3 封装。CLP24H4S30PZ
Ampleon · 封装：DFN-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.4～2.5 GHz、技术 GaN SiC、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 774 uA，采用 DFN-6 封装。BLM10D3438-35ABZ
Ampleon · 封装：QFN-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 3.4～3.8 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 35.4 dB、输出功率 45.5 dBm、最大工作温度 + 200 C，采用 QFN-20 封装。BLM9D3740-16AMX
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 3.7～4 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 29 dB、输出功率 41.5 dBm、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。BLM2425M7S60PY
Ampleon · 封装：SOT1211-3-16
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.4～2.5 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 32 V、漏源导通电阻（Rds On） 350 mOhms, 2.35 Ohms、增益 27.5 dB、输出功率 60 W，采用 SOT1211-3-16 封装。BLM2425M9S20Z
Ampleon · 封装：OMP-400-8F-1-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.4～2.5 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 350 mOhms, 2.35 Ohms、增益 28 dB、输出功率 20 W，采用 OMP-400-8F-1-8 封装。BLM7G1822S-40PBGY
Ampleon · 封装：SOT1212-3-16
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.805～2.17 GHz、技术 LDMOS、类型 RF Power MOSFET、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 33 dB、输出功率 45.1 W，采用 SOT1212-3-16 封装。BLM7G1822S-40PBGYZ
Ampleon · 封装：SOT1212-3-16
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.805～2.17 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 33 dB、输出功率 45.1 W、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT1212-3-16 封装。BLM7G1822S-80PBGY
Ampleon · 封装：SOT1212-3-16
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.805～2.17 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 28 V、增益 29 dB、输出功率 49.6 dBm、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT1212-3-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。