MRF166W
MACOM
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH、单件重量 0.578352 oz。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
MACOM
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH、单件重量 0.578352 oz。STMicroelectronics · 封装:LBB-3
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 28 V,采用 LBB-3 封装。STMicroelectronics
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是。STMicroelectronics
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。STMicroelectronics
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是。STMicroelectronics
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是。STMicroelectronics
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是。STMicroelectronics
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是。STMicroelectronics
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是。STMicroelectronics
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是。STMicroelectronics
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是。STMicroelectronics · 封装:B4E-5
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流(Id) 2.5 A,采用 B4E-5 封装。STMicroelectronics
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是。STMicroelectronics
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是。STMicroelectronics
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是。STMicroelectronics
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是。STMicroelectronics
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET。STMicroelectronics · 封装:B4E-5
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 945 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 90 V,采用 B4E-5 封装。STMicroelectronics · 封装:MM-2
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 930 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 90 V,采用 MM-2 封装。STMicroelectronics
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。