MWT-PH3F71
CML Micro · 封装:Die
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 28 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 14 dB,采用 Die 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
CML Micro · 封装:Die
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 28 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 14 dB,采用 Die 封装。CML Micro · 封装:Die
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 28 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 14 dB,采用 Die 封装。CML Micro · 封装:Die
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 28 GHz、技术 GaAs、连续漏极电流(Id) 40~60 mA、增益 14 dB、输出功率 21.5 dBm、最大工作温度 + 150 C,采用 Die 封装。CML Micro
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 28 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 14 dB。CML Micro
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 28 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 14 dB。CML Micro · 封装:Die
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 18 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、连续漏极电流(Id) 250~300 mA、漏源击穿电压(Vds) 8 V、增益 11 dB,采用 Die 封装。CML Micro · 封装:Die
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 18 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 12 dB,采用 Die 封装。CML Micro · 封装:Die
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 26 GHz、技术 GaAs、连续漏极电流(Id) 180~220 mA、漏源击穿电压(Vds) 7.5 V、增益 13 dB、输出功率 28 dBm,采用 Die 封装。CML Micro
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 26 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 13 dB。CML Micro
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 26 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 13 dB。CML Micro
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 26 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 13 dB。Mini-Circuits · 封装:1.4 mm x 1.2 mm
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 45 MHz to 6 GHz、技术 GaAs、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流(Id) 60 mA、漏源击穿电压(Vds) 4 V,采用 1.4 mm x 1.2 mm 封装。Mini-Circuits · 封装:MCLP-4
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 45 MHz to 6 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流(Id) 15 mA、漏源击穿电压(Vds) 3 V,采用 MCLP-4 封装。MACOM
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。MACOM
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。MACOM
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。MACOM
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国、湿敏性 是。MACOM
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国、湿敏性 是。MACOM
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、原产国家或地区 美国。MACOM
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。