MWT-PH27F73
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 26 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 16 dB，采用 Die 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MWT-PH28F
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 26 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 13 dB，采用 Die 封装。MWT-PH28F70
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 26 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 13 dB，采用 Die 封装。MWT-PH28F73
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 26 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 13 dB，采用 Die 封装。MWT-PH29F
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 18 GHz、技术 GaAs、连续漏极电流（Id） 160～200 mA、增益 13 dB、输出功率 28.5 dBm、最大工作温度 + 150 C，采用 Die 封装。MWT-PH29F73
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 18 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 13 dB，采用 Die 封装。MWT-PH30F
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 18 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 14 dB，采用 Die 封装。MWT-PH30F70
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 18 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 14 dB，采用 Die 封装。MWT-PH30F71
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 18 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 14 dB，采用 Die 封装。MWT-PH30F73
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 18 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 14 dB，采用 Die 封装。MWT-PH31F
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 18 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、连续漏极电流（Id） 240～280 mA、增益 13 dB、输出功率 30 dBm，采用 Die 封装。MWT-PH31F71
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 18 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 13 dB，采用 Die 封装。MWT-PH32F
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 12 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、连续漏极电流（Id） 310～360 mA、增益 13 dB、输出功率 30.5 dBm，采用 Die 封装。MWT-PH32F71
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 12 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 13 dB，采用 Die 封装。MWT-PH33F
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 26 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 14 dB，采用 Die 封装。MWT-PH33F70
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 26 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 14 dB，采用 Die 封装。MWT-PH33F71
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 26 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 14 dB，采用 Die 封装。MWT-PH33F73
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 26 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 14 dB，采用 Die 封装。MWT-PH3F
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 28 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 14 dB，采用 Die 封装。MWT-PH3F70
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 28 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、增益 14 dB、输出功率 24 dBm，采用 Die 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。