MWT-773
CML Micro
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 26 GHz、技术 GaAs、连续漏极电流（Id） 26 mA、漏源导通电阻（Rds On） 173 Ω、增益 11 dB、输出功率 20 dBm。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MWT-7F
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 26 GHz、技术 GaAs、连续漏极电流（Id） 85 mA、增益 15 dB、输出功率 21 dBm、最大工作温度 + 150 C，采用 Die 封装。MWT-7F70
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 500 MHz to 26 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 15 dB，采用 Die 封装。MWT-7F71
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 500 MHz to 26 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 15 dB，采用 Die 封装。MWT-7F73
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 500 MHz to 26 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 15 dB，采用 Die 封装。MWT-9F
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 18 GHz、技术 GaAs、增益 11 dB、输出功率 26.5 dBm、最大工作温度 + 150 C、原产国家或地区 美国，采用 Die 封装。MWT-9F70
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 18 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 11 dB，采用 Die 封装。MWT-9F71
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 18 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 11 dB，采用 Die 封装。MWT-9F73
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 18 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 11 dB，采用 Die 封装。MWT-LN300
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 26 GHz、技术 GaAs、连续漏极电流（Id） 120 mA、漏源击穿电压（Vds） 4 V、增益 10 dB, 13 dB、输出功率 16 dBm，采用 Die 封装。MWT-LN600
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 26 GHz、技术 GaAs、连续漏极电流（Id） 175 mA、漏源击穿电压（Vds） 4.5 V、增益 8 dB, 11 dB、输出功率 20 dBm，采用 Die 封装。MWT-PH11F
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 12 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、连续漏极电流（Id） 440～800 mA、漏源击穿电压（Vds） 8 V、增益 9 dB，采用 Die 封装。MWT-PH11F71
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 12 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 12 bB，采用 Die 封装。MWT-PH11FV
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 12 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 12 bB，采用 Die 封装。MWT-PH11FV71
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 12 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 12 bB，采用 Die 封装。MWT-PH15F
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 28 GHz、技术 GaAs、连续漏极电流（Id） 150～190 mA、漏源击穿电压（Vds） 7.5 V、增益 12 dB、输出功率 28 dBm，采用 Die 封装。MWT-PH15F71
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 28 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 12 dB，采用 Die 封装。MWT-PH27F
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 26 GHz、技术 GaAs、连续漏极电流（Id） 90～120 mA、增益 16 dB、输出功率 25 dBm、最大工作温度 + 150 C，采用 Die 封装。MWT-PH27F70
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 26 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 16 dB，采用 Die 封装。MWT-PH27F71
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 26 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 16 dB，采用 Die 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。