BLU9H0408L-800PU
Ampleon · 封装：SOT539A-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 400～800 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 90 mOhms，采用 SOT539A-5 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录CLF24H4LS300PJ
Ampleon · 封装：SOT1214B-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2.4～2.5 GHz、技术 GaN SiC、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、增益 16 dB，采用 SOT1214B-5 封装。CLF24H4LS300PU
Ampleon · 封装：SOT1214B-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2.4～2.5 GHz、技术 GaN SiC、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、增益 16 dB，采用 SOT1214B-5 封装。CLF3H0035-100U
Ampleon · 封装：SOT467C-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 0 Hz to 3.5 GHz、技术 GaN Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 240 mOhms，采用 SOT467C-3 封装。CLF3H0035S-100U
Ampleon · 封装：SOT467B-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 0 Hz to 3.5 GHz、技术 GaN Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 240 mOhms，采用 SOT467B-3 封装。CLL3H0914L-700U
Ampleon · 封装：SOT502A-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 900 MHz to 1.4 GHz、技术 GaN SiC、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 35 mOhms，采用 SOT502A-3 封装。CLL3H0914LS-700U
Ampleon · 封装：SOT502B-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 900 MHz to 1.4 GHz、技术 GaN SiC、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 35 mOhms，采用 SOT502B-3 封装。MMA-005022C
CML Micro · 封装：Die-21
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 30 kHz to 50 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 340 mA，采用 Die-21 封装。MWT-11F71
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 9 dB、输出功率 32 dBm，采用 Die 封装。MWT-1F
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 12 GHz、技术 GaAs、连续漏极电流（Id） 220 mA、增益 10 dB、输出功率 26 dBm、最大工作温度 + 150 C，采用 Die 封装。MWT-1F70
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 12 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 10 dB，采用 Die 封装。MWT-1F71
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 12 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 10 dB，采用 Die 封装。MWT-1F73
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 12 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 10 dB，采用 Die 封装。MWT-3F
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 12 GHz、技术 GaAs、原产国家或地区 美国、增益 12 dB、最大工作温度 + 150 C、输出功率 22 dBm，采用 Die 封装。MWT-3F70
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 500 MHz to 26 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 12 dB，采用 Die 封装。MWT-3F71
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 500 MHz to 26 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 12 dB，采用 Die 封装。MWT-3F73
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 500 MHz to 26 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 12 dB，采用 Die 封装。MWT-5F
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 26 GHz、技术 GaAs、增益 19 dB、输出功率 21 dBm、最大工作温度 + 150 C、原产国家或地区 美国，采用 Die 封装。MWT-5F71
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 500 MHz to 26 GHz、技术 GaAs、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 19 dB，采用 Die 封装。MWT-7
CML Micro · 封装：Die
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 26 GHz、技术 GaAs、增益 15 dB、输出功率 21 dBm、最大工作温度 + 150 C、原产国家或地区 美国，采用 Die 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。