BLP9G0722-20GZ
Ampleon · 封装：SOT1483-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 100 MHz to 2.7 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 500 mOhms，采用 SOT1483-1-3 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录BLP9H10-30GZ
Ampleon · 封装：SOT1483-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 616～960 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 1.62 Ω，采用 SOT1483-1-3 封装。BLP9H10S-350AY
Ampleon · 封装：OMP-780-4F-1-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 600～960 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 48 V、漏源导通电阻（Rds On） 250 mOhms, 370 mOhms，采用 OMP-780-4F-1-5 封装。BLP9H10S-500AWTY
Ampleon · 封装：OMP-780-6F-1-7
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 600～960 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 48 V、漏源导通电阻（Rds On） 174 mOhms, 250 mOhms，采用 OMP-780-6F-1-7 封装。BLP9H10S-850AVTY
Ampleon · 封装：OMP-1230-6F-1-7
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 617～960 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 48 V、漏源导通电阻（Rds On） 107 mOhms, 155 mOhms，采用 OMP-1230-6F-1-7 封装。BLP9H10S-850AVTZ
Ampleon · 封装：OMP-1230-6F-1-7
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 617～960 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 107 mOhms, 155 mOhms，采用 OMP-1230-6F-1-7 封装。BLP9LA25SGXY
Ampleon · 封装：TO-270-2G-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 941 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、漏源导通电阻（Rds On） 128 mOhms，采用 TO-270-2G-1-3 封装。BLP9LA25SGZ
Ampleon · 封装：TO-270-2G-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 941 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、漏源导通电阻（Rds On） 128 mOhms，采用 TO-270-2G-1-3 封装。BLP9LA25SXY
Ampleon · 封装：TO-270-2F-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 941 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、漏源导通电阻（Rds On） 128 mOhms，采用 TO-270-2F-1-3 封装。BLP9LA25SZ
Ampleon · 封装：TO-270-2F-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 941 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、漏源导通电阻（Rds On） 128 mOhms，采用 TO-270-2F-1-3 封装。BLS9G2729L-350U
Ampleon · 封装：SOT502A-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.7～2.9 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 30 mOhms，采用 SOT502A-3 封装。BLS9G2729LS-350U
Ampleon · 封装：SOT502B-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.7～2.9 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 30 mOhms，采用 SOT502B-3 封装。BLS9G2731L-400U
Ampleon · 封装：SOT502A-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.7～3.1 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 30 mOhms，采用 SOT502A-3 封装。BLS9G2731LS-400U
Ampleon · 封装：SOT502B-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.7～3.1 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 30 mOhms，采用 SOT502B-3 封装。BLS9G2735L-50U
Ampleon · 封装：SOT1135A-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.7～3.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 300 mOhms，采用 SOT1135A-3 封装。BLS9G2735LS-50U
Ampleon · 封装：SOT1135B-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.7～3.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 300 mOhms，采用 SOT1135B-3 封装。BLS9G2934L-400U
Ampleon · 封装：SOT502A-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.9～3.4 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 60 mOhms，采用 SOT502A-3 封装。BLS9G2934LS-400U
Ampleon · 封装：SOT502B-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.9～3.4 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 60 mOhms，采用 SOT502B-3 封装。BLS9G3135L-115U
Ampleon · 封装：SOT1135A-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 3.1～3.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 120 mOhms，采用 SOT1135A-3 封装。BLS9G3135LS-400U
Ampleon · 封装：SOT502B-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 3.1～3.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 26 mOhms，采用 SOT502B-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。