BLP15H9S100GZ
Ampleon · 封装：TO-270-2G-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 30 mOhms，采用 TO-270-2G-1-3 封装。射频与无线
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20,447 条型号记录BLP15H9S100XY
Ampleon · 封装：TO-270-2F-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 30 mOhms，采用 TO-270-2F-1-3 封装。BLP15H9S100Z
Ampleon · 封装：TO-270-2F-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 30 mOhms，采用 TO-270-2F-1-3 封装。BLP15H9S10GXY
Ampleon · 封装：TO-270-2G-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 3.2 Ω，采用 TO-270-2G-1-3 封装。BLP15H9S10GZ
Ampleon · 封装：TO-270-2G-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 3.2 Ω，采用 TO-270-2G-1-3 封装。BLP15H9S10XY
Ampleon · 封装：TO-270-2F-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 3.2 Ω，采用 TO-270-2F-1-3 封装。BLP15H9S10Z
Ampleon · 封装：TO-270-2F-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 3.2 Ω，采用 TO-270-2F-1-3 封装。BLP15H9S30GXY
Ampleon · 封装：TO-270-2G-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 890 mOhms，采用 TO-270-2G-1-3 封装。BLP15H9S30GZ
Ampleon · 封装：TO-270-2G-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 890 mOhms，采用 TO-270-2G-1-3 封装。BLP15M9S100Z
Ampleon · 封装：TO-270-2F-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 143 mOhms，采用 TO-270-2F-1-3 封装。BLP15M9S30GXY
Ampleon · 封装：TO-270-2G-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 32 V、漏源导通电阻（Rds On） 30 mOhms，采用 TO-270-2G-1-3 封装。BLP15M9S30GZ
Ampleon · 封装：TO-270-2G-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 370 mOhms，采用 TO-270-2G-1-3 封装。BLP15M9S30XY
Ampleon · 封装：TO-270-2F-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 370 mOhms，采用 TO-270-2F-1-3 封装。BLP15M9S30Z
Ampleon · 封装：TO-270-2F-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 370 mOhms，采用 TO-270-2F-1-3 封装。BLP5LA55SGXY
Ampleon · 封装：TO-270-2G-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 520 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、漏源导通电阻（Rds On） 60 mOhms，采用 TO-270-2G-1-3 封装。BLP5LA55SGZ
Ampleon · 封装：TO-270-2G-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 520 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、漏源导通电阻（Rds On） 60 mOhms，采用 TO-270-2G-1-3 封装。BLP5LA55SXY
Ampleon · 封装：TO-270-2F-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 520 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、漏源导通电阻（Rds On） 60 mOhms，采用 TO-270-2F-1-3 封装。BLP5LA55SZ
Ampleon · 封装：TO-270-2F-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 520 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、漏源导通电阻（Rds On） 60 mOhms，采用 TO-270-2F-1-3 封装。BLP981XY
Ampleon · 封装：TO-270-2F-1
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 LDMOS、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.4 uA、漏源击穿电压（Vds） 108 V，采用 TO-270-2F-1 封装。BLP981Z
Ampleon · 封装：TO-270-2F-1
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 LDMOS、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.4 uA、漏源击穿电压（Vds） 108 V，采用 TO-270-2F-1 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。