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Mini-Circuits
该型号为衰减器,主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 7 GHz、最小频率 0 Hz、类型 Fixed Attenuator、衰减 0.9 dB、阻抗 50 Ω。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Mini-Circuits
该型号为衰减器,主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 7 GHz、最小频率 0 Hz、类型 Fixed Attenuator、衰减 0.9 dB、阻抗 50 Ω。Mini-Circuits
该型号为衰减器,主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 7 GHz、最小频率 0 Hz、类型 Fixed Attenuator、衰减 2.8 dB、阻抗 50 Ω。Mini-Circuits · 封装:AF320
该型号为衰减器,主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 7 GHz、类型 Fixed Attenuator、衰减 4 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.4,采用 AF320 封装。Mini-Circuits · 封装:AF320
该型号为衰减器,主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 7 GHz、最小频率 0 Hz、技术 Ceramic、类型 Fixed Attenuator、衰减 5 dB,采用 AF320 封装。Susumu
该型号为衰减器,主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。TTM Technologies
该型号为衰减器,主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。TTM Technologies
该型号为衰减器,主要参数包括原产国家或地区 中国。TTM Technologies
该型号为衰减器,主要参数包括技术 Si。TTM Technologies
该型号为衰减器,主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 6 GHz、技术 AIN、类型 Chip Attenuator、衰减 20 dB、阻抗 50 Ω。TTM Technologies
该型号为衰减器,主要参数包括原产国家或地区 中国。Analog Devices · 封装:LFCSP-16
该型号为衰减器,主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3~5 V、最大频率 8 GHz、最小频率 2.2 GHz、技术 GaAs、类型 Digital Attenuator,采用 LFCSP-16 封装。Analog Devices / Hittite
该型号为衰减器,主要参数包括技术 GaAs、原产国家或地区 韩国、湿敏性 是。Analog Devices · 封装:QFN-24
该型号为衰减器,主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、最大频率 4 GHz、最小频率 0 Hz、技术 GaAs、类型 Digital Attenuator,采用 QFN-24 封装。Analog Devices · 封装:QFN-24
该型号为衰减器,主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、最大频率 4 GHz、最小频率 0 Hz、技术 GaAs、类型 Digital Attenuator,采用 QFN-24 封装。Qorvo · 封装:Die
该型号为衰减器,主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 - 5 V、最大频率 30 GHz、最小频率 0 Hz、技术 GaAs、类型 Digital Attenuator,采用 Die 封装。Radiall
该型号为衰减器,主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 FR。Radiall
该型号为衰减器,主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 FR。Radiall
该型号为衰减器,主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 FR。Walsin
该型号为衰减器,主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国。RFMD (Qorvo) · 封装:3 mm x 3 mm
主要参数包括工作电源电压 3 V、最大频率 24.5 GHz、最小频率 DC、技术 Si、类型 Modulator、耗散功率(Pd) 396 mW,采用 3 mm x 3 mm 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。