BLM9D2022-08AMZ
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.11～2.17 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 29 dB、输出功率 39.2 dBm、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录BLM9D2324-08AMZ
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.3～2.4 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 29 dB、输出功率 40 dBm、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。BLM9D2327-26BX
Ampleon · 封装：QFN-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.3～2.7 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 31.3 dB、输出功率 44.8 dBm、最大工作温度 + 200 C，采用 QFN-20 封装。BLM9D2327-26BZ
Ampleon · 封装：QFN-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.3～2.7 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 31.3 dB、输出功率 44.8 dBm、最大工作温度 + 200 C，采用 QFN-20 封装。BLM9D2327S-50PBGY
Ampleon · 封装：OMP-780-16G-1-16
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.3～2.7 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 29.5 dB、输出功率 44 dBm、最大工作温度 + 150 C，采用 OMP-780-16G-1-16 封装。BLM9D2527-09AMX
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.496～2.7 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 28 dB、输出功率 40 dBm、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。BLM9D2527-09AMZ
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.496～2.7 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 28 dB、输出功率 40 dBm、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。BLM9D3336-12AMZ
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 3.3～3.65 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 35.5 dB、输出功率 40.9 dBm、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。BLM9D3336-14AMZ
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 3.3～3.65 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 31 dB、输出功率 41.5 dBm、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。BLM9D3740-16AMZ
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 3.7～4 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 29 dB、输出功率 41.5 dBm、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。BLM9D3842-16AMZ
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 3.8～4.2 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 28 dB、输出功率 40.5 dBm、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。BLM9H0610S-60PGY
Ampleon · 封装：OMP-780-16G-1-16
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 600 MHz to 1 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 48 V、增益 35.5 dB、输出功率 45.3 dBm、最大工作温度 + 125 C，采用 OMP-780-16G-1-16 封装。BLP0408H9S30GXY
Ampleon · 封装：TO-270-2G-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 400～860 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.4 uA，采用 TO-270-2G-1-3 封装。BLP0408H9S30GZ
Ampleon · 封装：TO-270-2G-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 400～860 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.4 uA，采用 TO-270-2G-1-3 封装。BLP0408H9S30XY
Ampleon · 封装：TO-270-2F-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 400～860 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 1.2 Ω，采用 TO-270-2F-1-3 封装。BLP0408H9S30Z
Ampleon · 封装：TO-270-2F-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 400～860 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 1.2 Ω，采用 TO-270-2F-1-3 封装。BLP0427M9S20GZ
Ampleon · 封装：TO-270-2G-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 400 MHz to 2.7 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 500 mOhms，采用 TO-270-2G-1-3 封装。BLP0427M9S20XY
Ampleon · 封装：TO-270-2F-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 400 MHz to 2.7 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 500 mOhms，采用 TO-270-2F-1-3 封装。BLP0427M9S20Z
Ampleon · 封装：TO-270-2F-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 400 MHz to 2.7 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 500 mOhms，采用 TO-270-2F-1-3 封装。BLP15H9S100GXY
Ampleon · 封装：TO-270-2G-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 30 mOhms，采用 TO-270-2G-1-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。