BLF647PS,112
Ampleon · 封装：SOT1121B-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 100 mA、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 SOT1121B-5 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录BLF647PSJ
Ampleon · 封装：SOT1121B-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 140 mOhms，采用 SOT1121B-5 封装。BLF944PU
Ampleon · 封装：SOT1228A-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.3 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 32 V、漏源导通电阻（Rds On） 300 mOhms，采用 SOT1228A-5 封装。BLF974PU
Ampleon · 封装：SOT539A-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 700 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 110 mOhms，采用 SOT539A-5 封装。BLF978PU
Ampleon · 封装：SOT539A-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 700 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 54 mOhms，采用 SOT539A-5 封装。BLF981SU
Ampleon · 封装：SOT-467B-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 LDMOS、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.4 uA、漏源击穿电压（Vds） 108 V，采用 SOT-467B-2 封装。BLF981U
Ampleon · 封装：SOT-467C-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 LDMOS、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.4 uA、漏源击穿电压（Vds） 108 V，采用 SOT-467C-2 封装。BLF984PSU
Ampleon · 封装：SOT1121B-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 30～860 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 180 mOhms，采用 SOT1121B-5 封装。BLF984PU
Ampleon · 封装：SOT1121A-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 30～860 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 180 mOhms，采用 SOT1121A-5 封装。BLF989ESU
Ampleon · 封装：SOT539BN-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 400～860 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 60 mOhms, 90 mOhms，采用 SOT539BN-5 封装。BLF989EU
Ampleon · 封装：SOT539AN-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 400～860 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 60 mOhms, 90 mOhms，采用 SOT539AN-5 封装。BLF989SU
Ampleon · 封装：SOT539B-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 400～860 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 90 mOhms，采用 SOT539B-5 封装。BLF989U
Ampleon · 封装：SOT539A-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 400～860 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 90 mOhms，采用 SOT539A-5 封装。BLL9G1214L-600U
Ampleon · 封装：SOT502A-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 26 mOhms，采用 SOT502A-3 封装。BLM9D0708-05AMZ
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 728～821 MHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 17.8 dB、输出功率 5 W、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。BLM9D0910-05AMZ
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 859～960 MHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 21 dB、输出功率 5 W、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。BLM9D1819-08AMZ
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.805～1.88 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 30 dB、输出功率 8 W、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。BLM9D1822-30BZ
Ampleon · 封装：QFN-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～2.2 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 31.3 dB、输出功率 45.9 dBm、最大工作温度 + 200 C，采用 QFN-20 封装。BLM9D1822S-60PBGY
Ampleon · 封装：OMP-780-16G-1-16
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～2.2 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 28.3 dB、输出功率 45.4 dBm、最大工作温度 + 150 C，采用 OMP-780-16G-1-16 封装。BLM9D1920-08AMZ
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.88～2.025 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 26.8 dB、输出功率 39.6 dBm、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。