BLA9H0912LS-700GU
Ampleon · 封装：SOT502E-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 960 MHz to 1.215 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 60 mOhms，采用 SOT502E-3 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录BLA9H0912LS-700U
Ampleon · 封装：SOT502B-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 960 MHz to 1.215 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 60 mOhms，采用 SOT502B-3 封装。BLC2425M10LS250Y
Ampleon · 封装：SOT1270-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.4～2.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 40.5 mOhms，采用 SOT1270-1-3 封装。BLC2425M10LS250Z
Ampleon · 封装：SOT1270-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.4～2.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 40.5 mOhms，采用 SOT1270-1-3 封装。BLC2425M10LS500PY
Ampleon · 封装：SOT1250-1-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.4～2.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 45.5 mOhms，采用 SOT1250-1-5 封装。BLC2425M10LS500PZ
Ampleon · 封装：SOT1250-1-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2.4～2.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 45.5 mOhms，采用 SOT1250-1-5 封装。BLC2425M9LS250Z
Ampleon · 封装：SOT1270-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.4～2.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 52.5 mOhms，采用 SOT1270-1-3 封装。BLF0910H9LS600J
Ampleon · 封装：SOT502B-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 915 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 57.5 mOhms，采用 SOT502B-3 封装。BLF0910H9LS600U
Ampleon · 封装：SOT502B-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 915 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 57.5 mOhms，采用 SOT502B-3 封装。BLF0910H9LS750PJ
Ampleon · 封装：SOT539B-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 915 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 90 mOhms，采用 SOT539B-5 封装。BLF0910H9LS750PU
Ampleon · 封装：SOT502B-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 915 MHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 90 mOhms、增益 21.5 dB，采用 SOT502B-3 封装。BLF13H9L750PU
Ampleon · 封装：SOT539A-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.3 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 90 mOhms，采用 SOT539A-5 封装。BLF13H9LS750PU
Ampleon · 封装：SOT539B-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.3 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 90 mOhms，采用 SOT539B-5 封装。BLF2425M9L30J
Ampleon · 封装：SOT1135A-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.4～2.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 760 mOhms，采用 SOT1135A-3 封装。BLF2425M9L30U
Ampleon · 封装：SOT1135A-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.4～2.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 760 mOhms，采用 SOT1135A-3 封装。BLF2425M9LS140J
Ampleon · 封装：SOT502B-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.4～2.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 69 mOhms，采用 SOT502B-3 封装。BLF2425M9LS140U
Ampleon · 封装：SOT502B-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.4～2.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 69 mOhms，采用 SOT502B-3 封装。BLF2425M9LS30J
Ampleon · 封装：SOT1135B-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.4～2.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 760 mOhms，采用 SOT1135B-3 封装。BLF2425M9LS30U
Ampleon · 封装：SOT1135B-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.4～2.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 760 mOhms，采用 SOT1135B-3 封装。BLF647P,112
Ampleon · 封装：SOT-1121A-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 100 mA、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 SOT-1121A-5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。