B10G2022N10DLX
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.11～2.17 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 30.5 dB、输出功率 10 W、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录B10G2022N10DLZ
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.11～2.17 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 30.5 dB、输出功率 10 W、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。B10G2324N10DLX
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.3～2.4 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 31.3 dB、输出功率 10 W、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。B10G2324N10DLZ
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.3～2.4 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 31.3 dB、输出功率 10 W、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。B10G2327N55DZ
Ampleon · 封装：QFN-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.3～2.7 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 31.2 dB、输出功率 46.8 dBm、最大工作温度 + 200 C，采用 QFN-20 封装。B10G2527N10DLZ
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.5～2.7 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 30 dB、输出功率 10 W、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。B10G3336N16DLX
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 3.3～3.6 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 35 dB、输出功率 16 W、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。B10G3336N16DLZ
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 3.3～3.6 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 35 dB、输出功率 16 W、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。B11G1822N60DX
Ampleon · 封装：QFN-36
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～2.2 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 32 dB、输出功率 48.5 dBm、最大工作温度 + 125 C，采用 QFN-36 封装。B11G1822N60DYZ
Ampleon · 封装：QFN-36
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～2.2 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 32 dB、输出功率 48.5 dBm、最大工作温度 + 200 C，采用 QFN-36 封装。B11G2327N71DX
Ampleon · 封装：QFN-36
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.3～2.7 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 33.5 dB、输出功率 49.5 dBm、最大工作温度 + 200 C，采用 QFN-36 封装。B11G2327N71DYZ
Ampleon · 封装：QFN-36
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.3～2.7 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 33.5 dB、输出功率 49.5 dBm、最大工作温度 + 200 C，采用 QFN-36 封装。B11G3338N81DX
Ampleon · 封装：QFN-36
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 3.3～3.8 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 38 dB、输出功率 49 dBm、最大工作温度 + 200 C，采用 QFN-36 封装。B11G3338N81DYZ
Ampleon · 封装：QFN-36
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 3.3～3.8 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 38 dB、输出功率 49 dBm、最大工作温度 + 200 C，采用 QFN-36 封装。B11G3742N81DX
Ampleon · 封装：QFN-36
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 3.7～4.2 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 36 dB、输出功率 48.5 dBm、最大工作温度 + 200 C，采用 QFN-36 封装。B11G3742N81DYZ
Ampleon · 封装：QFN-36
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 3.7～4.2 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 36 dB、输出功率 48.5 dBm、最大工作温度 + 200 C，采用 QFN-36 封装。BLA9G1011L-300GU
Ampleon · 封装：SOT502F-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.03～1.09 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 43 mOhms，采用 SOT502F-3 封装。BLA9G1011L-300U
Ampleon · 封装：SOT502A-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.03～1.09 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 43 mOhms，采用 SOT502A-3 封装。BLA9G1011LS-300U
Ampleon · 封装：SOT502B-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.03～1.09 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 43 mOhms，采用 SOT502B-3 封装。BLA9H0912LS-250U
Ampleon · 封装：SOT502B-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 960 MHz to 1.215 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V、漏源导通电阻（Rds On） 110 mOhms，采用 SOT502B-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。