ART2K0FESJ
Ampleon · 封装：SOT539BN-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～400 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 100 mOhms，采用 SOT539BN-5 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录ART2K0FESU
Ampleon · 封装：SOT539BN-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～400 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 100 mOhms，采用 SOT539BN-5 封装。ART2K0FEU
Ampleon · 封装：SOT539AN-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～400 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 100 mOhms，采用 SOT539AN-5 封装。ART2K0PEGY
Ampleon · 封装：OMP-1230-4G-1-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～450 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 106 mOhms，采用 OMP-1230-4G-1-5 封装。ART2K0PEGZ
Ampleon · 封装：OMP-1230-4G-1-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～450 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 106 mOhms，采用 OMP-1230-4G-1-5 封装。ART2K0PEY
Ampleon · 封装：OMP-1230-4F-1-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～450 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 106 mOhms，采用 OMP-1230-4F-1-5 封装。ART2K0PEZ
Ampleon · 封装：OMP-1230-4F-1-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～450 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 106 mOhms，采用 OMP-1230-4F-1-5 封装。ART2K0TFEGJ
Ampleon · 封装：ACC-1230-6G-2-7
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 107 mOhms、增益 29 dB，采用 ACC-1230-6G-2-7 封装。ART2K0TFEJ
Ampleon · 封装：ACC-1230-6F-3-7
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～400 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 107 mOhms，采用 ACC-1230-6F-3-7 封装。ART2K0TFESJ
Ampleon · 封装：ACC-1230-6F-2-7
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～400 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 107 mOhms，采用 ACC-1230-6F-2-7 封装。ART2K5TFUGJ
Ampleon · 封装：ACC-1230-6G-2-7
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～400 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 75 V、漏源导通电阻（Rds On） 100 mOhms，采用 ACC-1230-6G-2-7 封装。ART2K5TFUSJ
Ampleon · 封装：ACC-1230-6F-2-7
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～400 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 75 V、漏源导通电阻（Rds On） 100 mOhms，采用 ACC-1230-6F-2-7 封装。ART2K5TPUY
Ampleon · 封装：OMP-1230-6F-2-7
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～400 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 75 V、漏源导通电阻（Rds On） 106 mOhms，采用 OMP-1230-6F-2-7 封装。ART35FEU
Ampleon · 封装：SOT467C-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1～650 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 1.6 Ω，采用 SOT467C-3 封装。ART450FEU
Ampleon · 封装：SOT1121A-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～650 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 340 mOhms，采用 SOT1121A-5 封装。ART700FHU
Ampleon · 封装：SOT1214A-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～450 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 55 V、漏源导通电阻（Rds On） 171 mOhms，采用 SOT1214A-5 封装。ART800PEGY
Ampleon · 封装：OMP-780-4G-1-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～650 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 200 mOhms，采用 OMP-780-4G-1-4 封装。ART800PEY
Ampleon · 封装：OMP-780-4F-1-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～650 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 200 mOhms，采用 OMP-780-4F-1-5 封装。B10G1819N10DLX
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.805～1.88 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 32 dB、输出功率 10 W、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。B10G1819N10DLZ
Ampleon · 封装：LGA-20
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.805～1.88 GHz、技术 LDMOS、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 32 dB、输出功率 10 W、最大工作温度 + 125 C，采用 LGA-20 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。