芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

20,447 条型号记录

每页 20 条

A2T26H165-24SR3

NXP Semiconductors · 封装：NI-780S-4L2L-6

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2.496～2.69 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 700 mA, 1.2 A，采用 NI-780S-4L2L-6 封装。

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MMRF1308HSR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935324811178、单件重量 0.299419 oz。

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MRF24300GNR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.45 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、输出功率 300 W、耗散功率（Pd） 833 W。

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MMRF1020-04GNR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935318203528、单件重量 0.108111 oz。

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MRF8P29300HSR6

NXP Semiconductors · 封装：NI-1230S

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.7～2.9 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 13.3 dB、输出功率 320 W，采用 NI-1230S 封装。

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AFT09S200W02GNR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935320369528、单件重量 0.112771 oz。

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MHT2000GNR1

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935311913528、单件重量 0.056385 oz。

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MRF8HP21080HR3

NXP Semiconductors · 封装：NI-780-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.11～2.17 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 14.5 dB、输出功率 16 W，采用 NI-780-4 封装。

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MMRF1017NR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935312011528、单件重量 0.108683 oz。

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A2T21H450W19SR6

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935323762128、单件重量 0.178310 oz。

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A2T08VD020NT1

NXP Semiconductors · 封装：PQFN-24

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 728～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 64 mA，采用 PQFN-24 封装。

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AFT26P100-4WGSR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935323496128、单件重量 0.114884 oz。

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MRF8P20140WHSR3

NXP Semiconductors · 封装：NI-780S-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.88～2.025 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 16 dB、输出功率 24 W，采用 NI-780S-4 封装。

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MHT2001NR1

NXP Semiconductors · 封装：TO-270WB-14

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 902～928 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 33.8 dB、最大工作温度 + 150 C，采用 TO-270WB-14 封装。

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AFT18S230SR5

NXP Semiconductors · 封装：NI-780S-6

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.805～1.88 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.8 A，采用 NI-780S-6 封装。

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MRF8P29300HR6

NXP Semiconductors · 封装：NI-1230

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.7～2.9 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 13.3 dB、输出功率 320 W，采用 NI-1230 封装。

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MMRF1312GSR5

NXP Semiconductors · 封装：NI-1230GS-4L-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 900 MHz to 1.215 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-1230GS-4L-4 封装。

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AFV121KGSR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935313048178、单件重量 0.300472 oz。

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MMRF1018NBR1

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935324763528、单件重量 0.067412 oz。

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AFV121KHSR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935320778178、单件重量 0.300472 oz。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。