芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

20,447 条型号记录

每页 20 条

AFT21S230SR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、型号别名 935314997128、单件重量 0.162645 oz。

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MRF8P9300HSR6

NXP Semiconductors · 封装：NI-1230S

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.86～0.96 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 70 V、增益 19.6 dB、输出功率 100 W，采用 NI-1230S 封装。

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MRF8P20140WHR3

NXP Semiconductors · 封装：NI-780-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.88～2.025 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 16 dB、输出功率 24 W，采用 NI-780-4 封装。

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A2T18S160W31GSR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935312705128、单件重量 0.146722 oz。

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AFT23S160W02SR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、型号别名 935320238128、单件重量 0.108323 oz。

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A2V09H525-04NR6

NXP Semiconductors · 封装：OM-1230-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 720～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.8 A，采用 OM-1230-4 封装。

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A2T26H300-24SR6

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935318674128、单件重量 0.303504 oz。

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AFIC10275GNR1

NXP Semiconductors · 封装：TO-270WBG-14

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 978～1090 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.6 A，采用 TO-270WBG-14 封装。

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AFT26H160-4S4R3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、型号别名 935317925128、单件重量 0.124919 oz。

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MMRF1020-04NR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935315414528、单件重量 0.108111 oz。

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MRF8S9200NR3

NXP Semiconductors · 封装：OM-780-2

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 920～960 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 70 V、增益 19.5 dB、输出功率 58 W，采用 OM-780-2 封装。

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MMRF1320GNR1

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935312501528、单件重量 0.057666 oz。

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AFT21S140W02GSR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、型号别名 935324832128、单件重量 0.164885 oz。

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AFT21S140W02SR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935324831128、单件重量 0.107829 oz。

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MMRF2010GNR1

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935323765528、单件重量 0.056833 oz。

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AFIC10275NR1

NXP Semiconductors · 封装：TO-270WB-14

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 978～1090 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.6 A，采用 TO-270WB-14 封装。

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MHT1002NR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 915 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、增益 20 dB、输出功率 350 W、湿敏性是。

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AFV09P350-04GNR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935318141528、单件重量 0.108111 oz。

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MMRF1009HSR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935315335178、单件重量 0.168010 oz。

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A2T18H410-24SR6

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935323767128、单件重量 0.303504 oz。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。